Реферат: Конструктивно-технологічні особливості біполярних напівпровідникових імс. Методи ізоляції елементів

ЕКЗАМЕНАЦІЙНІ ПИТАННЯ

“Фізика напівпровідникових приладів та мікросхем” 2010/11

(весняний семестр)


Конструктивно-технологічні особливості біполярних напівпровідникових ІМС. Методи ізоляції елементів.

Базові елементи БП напівпровідникових ІМС.

Структура та схеми основних елементів на основі МДП транзисторів с p-каналом.

Структура та схема основного елемента на базі комплементарного МДП транзистора.

Основні елементи плівкової технології в ГІМС. Структура та компоненти ГІМС.

Загальні відомості про якість та надійність ІМС.

Математичні основи контрою.

Загальні відомості про випадкові величини (закон розподілу, числові характеристики, приклади).

Основні закони розподілу, які застосовуються в контролі якості та надійності ІМС.

Первинна статистична обробка експериментальних даних.

Статистична перевірка статистичних гіпотез. Критерій Пірсона.

Статистичне оцінювання параметрів розподілів.

Довірювальний інтервал, довірювальна ймовірність.

Однофакторний дисперсійний аналіз.

Контроль настроєності технологічного процесу

Контроль якості технологічного процесу

Контроль технологічного процесу за допомогою контрольних карт. Побудова контрольних карт для стандартних відхилень

Контроль технологічного процесу за допомогою контрольних карт. Побудова контрольних карт для середніх

. Механізми відмов активних елементів ІМС.

Організація контролю якості. Види та методи контролю якості.

Контроль функціонування та оцінка якості ІМС на виробництві (вимірювання параметрів та контроль функціонування)

Оцінка якості ІМС за контрольними випробуваннями

Прогнозування виходу відсотку виходу справних ІМС

Основні поняття та властивості надійності

. Кількісні показники надійності

Залежність інтенсивності відмов від часу. Розподіл щільності відмов виробів мікроелектроніки.

Експлуатаційні фактори та вимоги до надійності ІМС.

Види та особливості розрахунку надійності. Розрахунок структурної надійності.

Структурні функціонально- надійністні схеми

Статистичні та причинні (фізичні) методи розрахунку надійності ІМС.

Методика розрахунку надійності ГІМС за катастрофічними відмовами.

Статистичний метод розрахунку надійності напівпровідникових ІМС за катастрофічними відмовами.

. Поняття інтенсивності відмов елементів структури залежно від типу дефекту. Інтенсивності відмов основних компонентів ненадійностію

Фізичний метод розрахунку надійності напівпровідникових ІМС за катастрофічними відмовами.

Методи розрахунку надійності ІМС за поступовими відмовами.

Метод «найгіршого випадку» розрахунку надійності ІМС за поступовими відмовами

Імовірнісні методи розрахунку надійності ІМС за поступовими відмовами



Рекомендована література


Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.- 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1986. – 464 с.: ил.

Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.- 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш.шк., 1987. – 416 с.: ил.

Козырь И.Я Качество и надежность интегральных микросхем М.: В. шк., 1987. – 144 с.

Готра З.Ю., Николаев И.М. Контроль качества и надежности интегральных микросхем.-М.: Радио и связь, 1989. – 168 с.

Готра З.Ю. Контроль технологии гибридных интегральных схем.- Львов: «Каменяр», 1981. – 176 с.

Тонкошкур О.С., Ігнаткін В.У. Фізичні основи електричного контролю неоднорідних систем.Навч. пос. Дн-ж-ськ: ДДТУ, 2010. – 290 с. [Часть 2