Реферат: Печатные излучатели

--PAGE_BREAK--ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА
Прямоугольная пластинка (рис. 7.3), расположенная над экраном, представлена отрезком

<img width=«652» height=«260» src=«ref-1_444335806-7941.coolpic» v:shapes="_x0000_s1074 _x0000_s1032 _x0000_s1033 _x0000_s1073">
эквивалентной двухпроводной линии, нагруженным на проводимости торцевых щелей. Эти проводимости являются комплексными величинами с емкостной реактивной частью, обусловленной концентрацией поля у торцевой кромки плоского проводника (см. рис. 7.2, а). Возбудители — штырь и отверстие связи — на эквивалентной схеме (см. рис. 7.3) представлены цепочкой элементов, состоящей из последовательно включенных реактивного сопротивления, штыря и параллельно включенных реактивной проводимости и идеального трансформатора, соответствующих переходу от линии передачи к излучателю через отверстие связи.

Если толщина экрана существенно меньше длины волны и штырь является продолжением центрального проводника коаксиального волновода, то коэффициент трансформации идеального трансформатора можно положить равным единице, а реактивность параллельно включенного элемента — нулю.

Входное сопротивление излучателя

<img width=«276» height=«23» src=«ref-1_444343747-435.coolpic» v:shapes="_x0000_i1030">                                                                                      (7.5)

где

<img width=«220» height=«49» src=«ref-1_444344182-700.coolpic» v:shapes="_x0000_i1031">                                                                                                    (7.6)

— входное сопротивление отрезка эквивалентной двухпроводной линии длиной <img width=«101» height=«23» src=«ref-1_444344882-206.coolpic» v:shapes="_x0000_i1032"> нагруженной на сопротивление торцевой щели ZЩ1;

<img width=«224» height=«49» src=«ref-1_444345088-706.coolpic» v:shapes="_x0000_i1033">                                                                                                   (7.7)

— входное сопротивление отрезка эквивалентной двухпроводной линии длиной <img width=«103» height=«23» src=«ref-1_444345794-213.coolpic» v:shapes="_x0000_i1034"> нагруженной на ZЩ2; ZШТ — индуктивное сопротивление штыря.

В (7.5) — (7.7) W — волновое сопротивление полосковой линии; b — коэффициент фазы квази-T-волны, yШТ— смещение штыря вдоль оси у относительно средней точки.

Входное сопротивление (7.5) в рабочей полосе частот ведет себя как сопротивление параллельного контура, однако на частоте, соответствующей максимуму активной составляющей входного сопротивления, реактивная составляющая не обращается в нуль и равна индуктивному сопротивлению штыря ZШТ.

Из-за наличия емкостной реактивной составляющей сопротивления щелей резонансный размер пластинки несколько меньше значения (7.2).

Укорочение одиночного излучателя, а также излучателя в решетке с учетом их взаимовлияния не превышает 20%. Проводимость излучения торцевых щелей [7.1]

<img width=«147» height=«27» src=«ref-1_444346007-276.coolpic» v:shapes="_x0000_i1035">                                                                                                                      (7.8)

где величины

<img width=«309» height=«51» src=«ref-1_444346283-756.coolpic» v:shapes="_x0000_i1036">                                                                              (7.9)

представляют собой активную и реактивную составляющие проводимости. Здесь <img width=«76» height=«24» src=«ref-1_444347039-186.coolpic» v:shapes="_x0000_i1037">  — волновое число свободного пространства; t — толщина подложки; l0 — длина волны в свобод ном пространстве; e0, m0 — электрическая и магнитная постоянные.
Программа для разрезания и сшивания файлов, шифрования, а также удаления файлов с защитой от восстановления специальными утилитами.

acsoftware.narod.ru/download/demo/acdemo.zip
Сопротивление штыря

<img width=«241» height=«51» src=«ref-1_444347225-586.coolpic» v:shapes="_x0000_i1038">                                                                                               (7.10)

где r—радиус штыря; <img width=«88» height=«28» src=«ref-1_444347811-227.coolpic» v:shapes="_x0000_i1039"> — волновое число диэлектрика подложки.

Рассматривая печатный излучатель в резонансном режиме как полуволновый отрезок линии, нагруженный на активную составляющую сопротивления излучения щелей и возбуждаемый на расстоянии уШТ от среднего сечения (см. рис. 7.3), находим входное сопротивление

<img width=«308» height=«41» src=«ref-1_444348038-650.coolpic» v:shapes="_x0000_i1040">                                                                              (7.11)

Поскольку (WGa)<<1, то

<img width=«167» height=«25» src=«ref-1_444348688-333.coolpic» v:shapes="_x0000_i1041">                                                                                                                 (7.12)

Входное сопротивление печатных излучателей в резонанс ном режиме существенно зависит от расположения штыря под пластинкой. Это позволяет получить нужное его значение на резонансной частоте и обеспечить согласование линии передачи с излучателем.

Печатный излучатель, эквивалентная схема которого дана на рис. 7.4, а, содержит две двухпроводные линии, соответствующие квази-T-волнам, возбуждаемым штырем в направлении осей симметрии пластинки. Будем считать, что дополнительно учитываемая квази-T-волна распространяется вдоль оси симметрии пластинки, параллельной оси x (см. рис. 7.1). Возбуждение второй квази-T-волны и излучение, связанное с ней, такие же, как в излучателе, схема которого представлена на рис. 7.3. Длина эквивалентной двухпроводной линии и ее волновое сопротивление определяются размерами пластинки а и b соответственно. Смещение линии передачи, эквивалентной устройству возбуждения, относительно средних сечений указанных отрезков двухпроводных линий равно смещению штыря вдоль соответствующих осей симметрии пластинки.

По эквивалентной схеме, представленной на рис. 7.4, можно проанализировать характеристики практически во всех режимах работы. Если обозначить входные сопротивления нагруженных отрезков двухпроводных линий в местах включения устройств возбуждения как Z1',Z2', то эквивалентная схема примет вид, показанный на рис. 7.4, б. Обозначим через U напряжение на входе излучателя. Тогда напряжения на сопротивлениях Z1,2' можно найти по формуле

<img width=«155» height=«28» src=«ref-1_444349021-305.coolpic» v:shapes="_x0000_i1042">                                                                                                                    (7.13)

Напряжения определяются в сечениях эквивалентных двухпроводных линий, в которые включено устройство возбуждения. Напряжения на торцевых щелях

<img width=«200» height=«44» src=«ref-1_444349326-597.coolpic» v:shapes="_x0000_i1043">                                                                                                         (7.14)

где

<img width=«169» height=«25» src=«ref-1_444349923-317.coolpic» v:shapes="_x0000_i1044">                                                                                                                 (7.15)

По формулам (7.13) — (7.15) можно найти амплитуды и фазы возбуждения торцевых щелей прямоугольного излучателя на низших типах резонансных колебаний.
    продолжение
--PAGE_BREAK--