Реферат: Для заданного полупроводникового диода

В курсовой работе предлагается:


Часть 1. Для заданного полупроводникового диода.

1. На одном листе построить графики ВАХ заданного диода и ВАХ идеального р-n-перехода при комнатной температуре с учетом материала полупроводника, приняв коэффициент m=1,5 для Ge и m=2,5 для Si.

2. Дать анализ причин различия построенных ВАХ.

3. Рассчитать и построить график сопротивления базы диода rб от тока на диоде. Построить уточненный график р-n-перехода с учетом этого сопротивления.

4. Построить графики зависимостей статических и дифференциальных сопротивлений и проводимостей прямой ветви ВАХ диода от прямого тока и прямого напряжения.

5. Определить параметры кусочно-линейной модели диода для больших прямых и обратных значений напряжения.

6. Для схемы с последовательным включением диода и резистора ^ R к источнику постоянной ЭДС Е построить зависимости тока диода и напряжения на нем от Е для кусочно-линейной моделипри постоянном сопротивлении резистора R≈10rдиф, пр и внутреннем сопротивлении источника ЭДС Ом, где N-номер варианта.

7. Построить зависимость тока через диод от величины сопротивления R при Е= –Uобр,макс и Е= Uпр,макс. Величину сопротивления менять от 0 до 100rдиф, пр . При необходимости график строить в логарифмическом масштабе по оси абсцисс.

8. Провести анализ работы диода в схеме простейшего выпрямителя без фильтра и с емкостным фильтром. Амплитуда гармонического напряжения на входе схемы составляет 0,5Uобр,макс. R=100*r(дифф,кр)

9. Выделить область ВАХ диода, где возможно использование квадратичной или кубичной модели. Определить параметры модели. Построить график ВАХ модели совместно с реальной ВАХ. Оценить возможность такой аппроксимации ВАХ диода.

10. Построить график тока диода, если к нему приложить напряжение . Смещение Есм и амплитуду Um выбрать в соответствии с определенной в пункте 9 области определения полиномиальной модели. С помощью аналитически определенной полиномиальной модели определить величину среднего значения и амплитуды гармонических составляющих тока диода.
^ Требования к работе
Содержание работы излагается на листах формата А4 в рукописном виде.

Первый (титульный) лист работы должен быть оформлен в соответствии с типовой формой (см. рис.1).

Второй лист работы должен содержать задание, полученное учащимся для выполнения этой работы.

Справочные данные по исследуемым полупроводниковым приборам должны быть представлены в виде ксероксной или фотографической копии справочных страниц.

Работа должна содержать необходимые расчеты (с указанием исходных формул и подставляемых числовых значений) и пояснения к ним.

Графики рекомендуется строить с координатной сеткой или на миллиметровой бумаге в масштабе, позволяющем легко определять значения величин в различных точках. Для каждого графика предварительно строится и представляется таблица данных.

Каждый график должен сопровождаться пояснениями и выводами.

Должны быть приведены оглавление и список литературы, использованной при выполнении работы.


Тип полупроводникового диода задан из справочника:

«Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы». Под общей редакцией Н.Н.Горюнова. М., 1982.

Шифр справочника в библиотеке МИЭМ: 621.382/П53.


Московский институт электроники и математики

(технический университет)


Кафедра радиоэлектроники


Пояснительная записка

к курсовой работе


по дисциплине

“Электротехника и электроника”

на тему

”Определение параметров моделей полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных аналоговых микросхем”


Вариант задания №


Выполнил: студент группы Р ___________


Преподаватель: доц. Андреевская Т.М.


“Оценка работы”_________________


“___”_______2006 г. Подпись преподавателя ____________


Москва, 2006г.

Рис. 1 Титульный лист работы



Задание на курсовую работу , ч.1, Полупроводниковый диод Группа Р-51



Балуев Дмитрий

Д2Б



Важнов Юрий

МД3



Воробьев Ал-р

Д104



Гуреев Павел

Д206



Данилов Виктор

1И401А



Журинова Галина

Д223А



Иванов Дмитрий

МД226А



Козлов Игорь

Д229А



Левкин Виталий

Д237А



Меликян Давид

2Д101А



Миронов Иван

1И308А



Михеев Костя

КД103А



Нечаев Алексей

КД105



Овсянников Сергей

2Д106А



Петраков Ал-р

29115А-1



Полищук Кирилл

2Д202Ж



Романцов Денис

2Д213Б



Савко Сергей

2Д217А



Смирнов Евгений

Д18



Соколова Валерия

Д219А



Соломаха Андрей

Д310



Стеблев Денис

Д312А



Сухов Ал-р

2ДМ502А-М



Теплышов Андрей

2Д510А



Тищенко Алексей

Д2Б



Фаткин Вячеслав

Д223



Фетисов Ал-р

Д237Б



Шаповалов Ал-р

ЗИ101А



Шаповалов Сергей

1И103А



Шерихов Алексей

3И201Б



Шустов Всеволод

1И304А













Задание на курсовую работу , ч.1, Полупроводниковый диод Группа РС52



Аншин Ал-р

Д2И



Бараненков Сергей

ДММ3



Барылов Игорь

Д106



Белик Глеб

Д210



Викторов Ал-р

ГИ401Б



Воробьев Алексей

Д223Б



Глубоков Алексей

МД226Е



Грач Евгений

Д229Б



Григорян Артем

Д237Б



Даценко Артем

2ДМ101А



Зимин Дмитрий

ГИ305Б



Коробов Ал-р

2Д104А



Костюков Ал-р

КД105В



Кравцов Сергей

ГД107Б



Кухтенкова Елена

2Д201А



Ларина Лидия

2Д212А



Левликов Максим

2Д216А



Мокрова Юлия

2Д219А



Никульников Евгений

Д20



Прилипко Евгений

Д220Б



Салостин Андрей

Д311Б



Сидоренко Анна

2Д502А



Смирнова Марина

2Д509А



Тихменев Ал-р

ГИ103А



Томин Владимир

1И308А



Ушаков Михаил

3И402А



Фирсов-Шибаев Денис

1И404Б






Д2Г






Д226






КД509А