Реферат: Девятая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, наноструктур и полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Девятая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, наноструктур

и полупроводниковой
опто- и наноэлектронике


Санкт-Петербургский государственный политехнический университет


Физико-технический институт
им. А.Ф. Иоффе Научно- образовательный комплекс «Санкт-Петербургский физико-технический научно- образовательный центр РАН» Санкт-Петербургский государственный университет

Закрытое акционерное общество

«Полупроводниковые приборы»


^ 3 – 7 декабря 2007 г.




Председатель:

Сурис Р.А., ФТИ им. А.Ф.Иоффе, С.-Петербург

Члены комитета:

Воробьёв Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург

Глинский Г.Ф., СПбГЭТУ, С.-Петербург

Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск

Жуков А.Е., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,

С.-Петербург

Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва

Коренев В.Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,

С.-Петербург

Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,

С.-Петербург

Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород

Новиков Б.В., СПбГУ, С.-Петербург

Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва

Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,

С.-Петербург

Хохлов Д.Р., МГУ, Москва





^ Председатель оргкомитета:

Воробьев Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург

Ученый секретарь:

Гаврикова Т.А., СПбГПУ, С.-Петербург

Члены оргкомитета:

Васильева М.А., СПбГПУ, С.-Петербург

Зыков В.А., СПбГПУ, С.-Петербург

Ильин В.И., СПбГПУ, С.-Петербург

Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва

Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,

С.-Петербург

Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород

Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва

Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,

С.-Петербург

Фирсов Д.А., СПбГПУ, С.-Петербург

Хохлов Д.Р., МГУ, Москва

Шалыгин В.А., СПбГПУ, С.-Петербург





Всероссийская молодёжная конференция по фи-зике полупроводников, наноструктур и полупроводниковой опто- и наноэлектронике посвящается актуаль­ным проблемам современной физики полупро­водников, наноструктур, полупроводни­ковых приборов и на­ноэлектроники; на ней предполагается заслу­шать доклады по результатам как эксперимен­тальных, так и теоретических исследований.

Тематика конференции включает следующие основные разделы:

Объемные свойства полупроводников.

Процессы роста, поверхность, границы раздела.

Гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки, нити, сверхрешетки и другие низкоразмерные системы.

Дефекты и примеси.

Приборы наноэлектроники.

Оптоэлектронные приборы.

Новые материалы.




Конференция состоится в С.-Петербурге, в Научно-образовательном комплексе «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН» в период с
3 по 7 декабря 2007 г. Информация о времени открытия конференции будет сообщена дополнительно.

К участию в конференции приглашаются студенты всех российских ВУЗов и аспиранты ВУЗов, институтов РАН и других организаций. Будут представлены устные и стендовые доклады. Тезисы докладов будут опубликованы. Лучшие доклады будут отмечены дипломами и премиями. Кроме того за лучшую работу в области оптики полупроводников учреждена премия имени Е.Ф. Гросса. Лучшие работы прикладного характера (имеющие инновационный потенциал) будут рекомендованы для участия в конкурсе с номинацией "За научные результаты, обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации" с последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере.

Организационный взнос не предусмотрен.





Тезисы докладов в электронном виде объемом не более 1 стр. необходимо пред-ставить в оргкомитет для рассмотрения в прог-раммном комитете в срок до 1 ноября 2007 г.





Электронный вариант (в формате WinWord) текста тезисов докладов должен иметь следующие параметры: шрифт - Times New Roman, размер шрифта - 12, межстрочный интервал - 1.3 (множитель), формат бумаги А4 с полями: верхнее - 20 мм, нижнее - 25 мм, левое - 20 мм, правое - 20 мм, формулы набирать, пользуясь Microsoft Equation 2.0-3.0. Если для текста крайне необходим рисунок, он выполняется в пределах поля для текста в основном файле (по возможности, желательно без рисунков).

Текст в текстовом поле располагается следующим образом:

на первой строчке (в левом верхнем углу): УДК (вместе с цифрами печатать прописными буквами);

на следующей строчке (выровнять вправо): инициалы, фамилия студента или аспиранта строчными буквами, в скобках университет, курс, название кафедры (можно использовать принятые сокращения); инициалы, фамилия, ученая степень, должность и место работы руководителя (можно использовать принятые сокращения), можно в две строки; фамилию докладчика подчеркнуть;

через пробельную строку (выровнять по центру): НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА (прописными буквами);

через пробельную строку (с красной строки): текст тезисов.

Электронный вариант текста может быть представлен на дискете (дискеты будут возвращены авторам) или по e-mail.

К тезисам докладов необходимо прило­жить справку об авторах, которая должна содержать полные названия университета (института), факультета, кафедры; фамилию, имя, отчество студента или аспиранта, а также руководителя; телефоны, факсы и адреса электронной почты (e-mail) для связи.





195251, С.-Петербург, Политехническая ул., 29

С.-Петербургский государственный

политехнический университет,

кафедра физики полупроводников

и наноэлектроники

(II уч. корп., к. 210)
Тел. (812) 552-96-71
e-mail: conf2007@spbstu.ru

http://www.spbstu.ru/rphf/2007/conf2007.html


Девятая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников,

наноструктур

и полупроводниковой
опто- и наноэлектронике





Санкт-Петербург
3 – 7 декабря 2007 г.


http://www.spbstu.ru/rphf/2007/conf2007.html