Реферат: Фгуп «нпо «Орион»

ФГУП «НПО «Орион»





XX Международная

научно-техническая конференция

по фотоэлектронике

и приборам ночного видения

27-30 мая 2008

Москва, Россия


П Р О Г Р А М М А


XX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения организована

^ Государственным научным центром

Российской Федерации –

Федеральным государственным унитарным

предприятием «НПО «Орион»

и проводится при поддержке:

Федерального агентства по промышленности,

^ Федерального агентства по науке и инновациям,

Российской Академии наук,

Правительства г. Москвы


XX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения

27-30 мая, 2008· Москва, Россия


П Р О Г Р А М М А


Государственный научный центр Российской Федерации

^ Федеральное государственное унитарное предприятие НПО «Орион»

Москва, 2008

Международный программный комитет


Председатель – Филачев А.М., ФГУП «НПО «Орион», Россия

Заместитель председателя, Пономаренко В.П., ФГУП «НПО «Орион», Россия

^ Заместитель председателя, Дирочка А.И., ФГУП «НПО «Орион», Россия

Ученый секретарь – Бурлаков И.Д., ФГУП «НПО «Орион», Россия


Члены комитета:

Асеев А.Л. – ИФП СО РАН

Бугаев А.С. – МФТИ, Россия

Гуляев Ю.В. – ИРЭ РАН

Ежов В.П. – ОАО «Завод Сапфир», Россия

Елютин А.В. – «Гиредмет», Россия

Иванов В.П. – ФНПЦ ГИПО, Россия

Рыжий В.И. – University of AIZU, Япония

Крохин О.Н. – ФИ РАН

Kumar Vikram – Solid State Phys. Lab., Индия

Кудрявцев Н.Н. – МФТИ, Россия

Пожела Ю.К. – ИФП, Литва

Попов Г.Н. – ЦКБ «Точприбор», Россия

Rogalski Antoni – WAT, Польша

Салаев Э.Ю. – Институт физики, Азербайджан

Сигов А.С. – МИРЭА, Россия

Сизов Ф.Ф. – ИФП НАНУ, Украина

Солдатенков В.А. – ФГУП «Геофизика-НВ», Россия

Степанов Р.М. – ЦНИИ «Электрон», Россия

Tribolet Philippe – Sofradir, Франция

Яковлев Ю.П. – ФТИ РАН
^ Организационный комитет

Председатель – Филачев А.М., ФГУП «НПО «Орион»

Заместитель председателя, Корнеева М.Д., ФГУП «НПО «Орион»

Заместитель председателя, Гринченко Л.Я., ФГУП «НПО «Орион»

^ Ответственный секретарь – Романишина М.И., ФГУП «НПО «Орион»


Члены комитета:


Волков К.А. – ФГУП «НПО «Орион»

Дирочка А.И. – ФГУП «НПО «Орион»

Проскурин В.М. – ФГУП «НПО «Орион»

Левинских К.А. – ФАП

Токарев А.М. – ФГУП «НПО «Орион»

Шабаров В.В. – Правительство г. Москвы


^ Общая информация


Время и место проведения

Конференция проводится 27-30 мая 2008 г. в ФГУП «НПО «Орион» по адресу: г. Москва, ул. Косинская, д.9, корпус 2Г (вблизи станции метро «Выхино»).


Регистрация

Регистрация участников, выдача материалов конференции и отметка командировочных удостоверений проводятся 26 мая 2008 г. с 12.00 до 18.00 и 27 мая 2008 г. с 8.30.


Организационный взнос

Установлены следующие размеры организационного взноса, включающего оплату за участие в научной и социальной программе, издание тезисов и трудов конференции. Организационный взнос для зарубежных участников составляет 135 EUR, для участников из России и стран СНГ сумму, эквивалентную 40 EUR (20 EUR – для студентов и аспирантов, 30 EUR для докладчиков). Взнос может быть оплачен при регистрации.


Проезд на конференцию:

Метро «Выхино»,

1-й вагон из центра, выход налево – на улицу Косинская


111538, Москва, ул. Косинская, дом 9

Тел. (495)-374-94-00, (495)-374-81-20, (495)-374-40-41





П Р О Г Р А М М А


^ ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ


На конференции будут дополнительно заслушаны следующие доклады





^ Последние разработки компании ТАЛЕС в области технологий и средств отображения

Michel Papuchon

Thales, Франция





^ Направления развития перспективных информационных аэрокосмических оптико-электронных средств и требования к фотоприемным устройствам для них

Захаренков В.Ф.. Иозеп Е.А., Камешков Г.Б., Макавцов Г.А., Мирзоева Л.А., Павлов В.С., Тупиков В.А.

^ ФГУП НПК ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
^ Вторник, 27 мая

10.00 Открытие конференции

Вступительное слово председателя оргкомитета А.М. Филачева


П01 10.20

Современное состояние, перспективы и проблемы развития ИК фотоэлектроники

Пономаренко В.П., Филачев А.М., Гринченко Л.Я.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


П02

10.50

Инфракрасные фотоприемники на квантовых точках: состояние и перспективы

Рогальский А.

Институт прикладной физики, Военный институт технологии, Варшава, Польша


П03

11.30

Магнитные, акустические и фотонные свойства метаматериалов

Никитов С.А., Гуляев Ю.В.

Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия


12.00 – 12.20 Перерыв

П04

12.20

Новые задачи для высокоэффективного применения ИК техники

Tribolet Philippe

SOFRADIR, Франция


П05

12.50

Состояние разработок ИК матриц в Куньминском институте физики

Xiao-Ping Chen

Куньминский институт физики, Куньмин, Китай


П06

13.20

^ Инфракрасные фотоприемники второго поколения на основе оптимизированных ГЭС КРТ МЛЭ

Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И.,
Клименко А.Г., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В.,
Сусляков А.О., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Асеев А.Л.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

^ 14.00 – 15.30 Обед. Посещение выставки



П07

15.30

Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК ФПУ на InAs и приборов на их основе

Курышев Г.Л., Ли И.И., Базовкин В.М., Валишева Н.А., Гузев А.А.,

Ефимов В.М., Ковчавцев А.П. , Половинкин В.Г., Строганов А.С.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У01

16.00

Исследование фотоэлектрических параметров МФПУ
на основе антимонида индия

Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Патрашин А.И., Чишко В.Ф.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У02

16.20

Исследование времени корректируемости для МФПУ на основе InSb

Чишко В.Ф., Дирочка А.И., Касаткин И.Л., Лопухин А.А.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У03

16.40

Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство форматом 320х240 на основе золь-гель VOx

Демьяненко М.А., Фомин Б.И., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н, Васильева Л.Л.,

Волков С.А., Марчишин И.В., Четверов Ю.С.*, Здобников А.Е.*,

Кудрявцев П.Н.*, Володин Е.Б.**, Ермолов А.Е.**, Усов П.П.**,

Чесноков В.П.** , Машевич П.Р.**

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*ОАО «ЦНИИ «Циклон», Москва, Россия

**ОАО «Ангстрем», Москва, Россия


17.00 – 17.15 Перерыв


У04

17.15

Неохлаждаемый матричный приемник ИК излучения на основе термопневматического микромеханического преобразователя с оптоэлектронной системой считывания

Гельфанд А.В., Паулиш А.Г., Федоринин В.Н.

^ Филиал Института физики полупроводников СО РАН «КТИ ПМ», Новосибирск, Россия


У05

17.35

ИК фотоприемники формата 288×4 с двунаправленным сканированием изображения

Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н.,
Дворецкий С.А., Рева В.П.*, Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф.*, Сусляков А.О., Асеев А.Л.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*Институт физики полупроводников НАН, Киев, Украина


У06

17.55

^ Двухцветная фокальная матрица 128×4×2 на основе HgCdTe и ее применение

Jin-Yi Wang, Ling Jin, Pin-Yi Zhang

Куньминский институт физики, Куньмин, Китай


У07

18.15

^ Двухспектральные матричные фотоприемники на основе структур с квантовыми ямами

Казаков А.А., Зверев Г.М., Куликов В.Б., Котов В.П., Бутягин О.Ф.,
Чередниченко О.Б., Курнявко Ю.В, Мармалюк А.А., Солодков А.А.*

^ ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Москва, Россия

*ФГУ «22 ЦНИИ МО РФ, Мытищи, Россия


У08

18.35

Длинноволновая фокальная матрица 320×240 на основе квантовых ям

Yan-Li Shi

Северная компания инфракрасных технологий, отделение фотоприемников, Куньмин, Китай


У09

18.55

^ Смотрящая К-МОП матрица формата 320х240 элементов для спектрального диапазона 3-5 мкм на основе PtSi

Карпов В.В., Никифоров А.Ю., Белин А.М.*, Золотарев В.И.*, Попов А.Д.*

ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия

*ОАО «Ангстрем», Москва, Россия



Среда, 28 мая

Секция А

9.30 – 12.00


П08

9.30

Приемники терагерцового диапазона. с использованием плазменного резонанса

Рыжий В.И.

Unversity of Aizu, Япония


П09

10.00

Приемники излучения миллиметрового и субмиллиметрового (ТГц) диапазонов

Сизов Ф.Ф.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


П10

10.30

^ Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов

Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Асеев А.Л.,

Князев Б.А.*, Кулипанов Г.Н.*, Винокуров Н.А.*

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия


У10

11.00

^ Болометрические приемники терагерцового излучения

Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Марчишин И. В., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Князев Б.А.*

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия


У11

11.20

^ Планарные детекторы для матричных систем видения в миллиметровом диапазоне длин волн

Закамов В.Р., Шашкин В.И., Мурель А.В.

Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия


У12

11.40

^ Вакуумный субматричный фотоприемный модуль ФУК-140М формата 4х288 элементов для спектрального диапазона 8-12 мкм, работающий в режиме ВЗН

Гиндин Д.А., Карпов В.В., Кузнецов Н.С., Крашенинников В.С.,
Петренко В.И., Семенов В.И., Васильев В.В.*

^ ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия

*Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


12.00 – 12.15 Перерыв

П11

12.15

Многоканальные устройства предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных ИК ФПУ

Ли И.И.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У13

12.40

^ Принципы построения БИС считывания, использующих аналого-цифровое преобразование фотосигнала

Кузнецов П.А., Климанов Е.А.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У14

13.00

^ Влияние конструктивно-технологических ограничений схем считывания на параметры ИК ФПУ

Рева В.П., Сизов Ф.Ф.*

Институт микроприборов НАН Украины, Киев, Украина

*Институт физики полупроводников НАН им. В.Е. Лашкарёва, Киев, Россия


У15

13.20

^ Метод автоматизированного тестирования модулей электронной обработки сигналов в оптико-электронных приборах

Солодков А.А., Милосердов С.С.

ФГУ «22 ЦНИИ МО РФ», Мытищи, Россия


У16

13.40

^ Разработки методов получения цветного изображения с естественной цветопередачей в приборах низкоуровнего и инфракрасного видения

Wang Lingxue, Jin Weiqi, Shi Shiming, Zhao Yuanmeng

^ Пекинский технологический институт, Пекин, Китай


14.00 – 15.20^ Обед. Стендовые доклады (секция A)


У17

15.20

Использование «аналоговой конвейерной обработки» для реализации функции ВЗН

Рева В.П., Деркач Ю.П., Коринец С.В., Голенков А.Г.*

^ Институт микроприборов НАН, Киев, Украина

*Институт физики полупроводников НАН им. В.Е. Лашкарёва, Киев, Украина


У18

15.40

^ Адаптивный алгоритм многокадрового накопления пиросигнала в реальном времени

Боженко В.И., Кондратов О.П., Кондратов П.А., Ткаченко В.Ф.

Национальный университет “Львовская политехника”, Львов, Украина

У19

16.00

^ Коррекция по сигналам сцены неоднородности многоэлементных фотоприемных устройств с микросканированием

Соляков В.Н.*, Жегалов С.И.*, Морозова В.Г.*, **

*ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**МФТИ, Долгопрудный, Россия


У20


^ Нелинейная коррекция неоднородности тепловизионных фотоприемных устройств

Соляков В.Н.*, Жегалов С.И.*, Морозова В.Г.*, **

*ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**МФТИ, Долгопрудный, Россия


У21


^ Результаты практического моделирования коррекции неоднородности многоэлементных фотоприемных устройств по сигналам сцены

Соляков В.Н.*, Жегалов С.И.*, Морозова В.Г.*, **

*ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**МФТИ, Долгопрудный, Россия


У22

16.30

^ Обработка тепловизионных изображений с низким тепловым контрастом

Соляков В.Н.*, Горелик В.Н.*, Тренин Д.Ю.*, **

*ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**МФТИ, Долгопрудный, Россия


У23


^ Опознавание объектов с малым тепловым контрастом двухдиапазонной тепловизионной системой

Горелик Л.И., Полесский А.В., Соляков В.Н., Тренин Д.Ю.*, **

*ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**МФТИ, Долгопрудный, Россия


У24

16.55

^ Алгоритмы и программное обеспечение для обработки и анализа дифракционных картин микрообъектов

Власов Н.Г.*, Каленков Г.С.***, Каленков С.Г.**, Штанько А.Е.*

*МГТУ «Станкин», Москва, Россия

**МГТУ «МАМИ», Москва, Россия

***МФТИ (ГУ), Москва, Россия



17.10 – 17.25 Перерыв


У25

17.25

Исследования стабильности параметров коррекции МФПУ

Соляков В. Н., Кортиков М.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

У29

17.40


^ Прогресс в коррекции чувствительности МФПУ по сигналам сцены

Jin Weiqi, Sui jing, Dong Liquan, Cao Fengmei, Cao Yang,

Liu Chongliang, Liu Xiu

Пекинский политехнический институт, Пекин, Китай


У30

18.05


^ Система обработки информации прибора ориентации по звездам КА

Исаков А.Н., Федосеев В.И., Абакумов В.М.

ОАО «НПП «Геофизика-Космос», Москва, Россия


У26

18.20

^ Фоточувствительные свойства структур In/ZnTe/CdTe/HgCdTe

Гузев А.А., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л.,

Ли И.И., Панова З.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У80

18.35


Уточнение модели генерационно-рекомбинационного тока в ИК-фотодиодах

Ярцев А.В.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У28

18.50


^ Локализованные состояния и чувствительность пленок PbSnTe:In в субмиллиметровой области спектра

Климов А.Э., Шумский В.Н.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У27

19.05

^ Особенности полупроводниковых материалов как оптических сред для инфракрасной области спектра

Астафьев Н.И., Несмелова И.М.

ФГУП «НПО ГИПО», Казань, Россия


Секция Б

9.30 – 12.05

У31

9.30

Фотоумножитель с GaAs фотокатодом и кодирующим коллектором для быстродействующей системы формирования изображения в режиме счёта одиночных фотонов

Бакин В.В.*, Косолобов С.Н.*, Терехов А.С.*, **, Шайблер Г.Э.*,

Де-Бур В.Г.***, Плохотниченко В.Л.***, Бескин Г.М.***, Карпов С.В.***

* Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

** Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

*** Специальная астрофизическая обсерватория РАН, Нижний Архыз, Россия


У32

9.50

^ Энергетические распределения электронов, эмитированных мультищелочными фотокатодами с отрицательным и положительным электронным сродством

Забуслаев С.В.*, Нестеров И.А.*, Локтионов В.И.*, Бакин В.В.**,
Шайблер Г.Э.**, Терехов А.С.**

*ОАО «Катод», Новосибирск, Россия

** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У38

10.10


^ Модель усиления тока для резистивно-связанных каналов МКП

Беркин А.Б., Васильев В.В.

Новосибирский государственный технический университет Новосибирск, Россия


У33

10.30

^ Новый метод определения отношения «сигнал/шум» и распределения шумовых импульсов в электронно-оптических преобразователях

Xiang Shiming, Shi Feng, Guo Hui

Сианьский институт прикладной оптики, Сиань, Китай


У34

10.50

^ Алгоритм обработки двухспектральных псевдоцветных изображений на базе характерных уровней

Ni Guoqiang Qin Qingwang Xiao Manjun

Пекинский технологический институт, Пекин, Китай


У35

11.10

^ Прогрессивная и экономичная концепция контроля оптико-электронных систем на всех стадиях их жизненного цикла

Dario Cabib, R.A. Buckwald, Shimon Nirkin, Moshe Lavi, Oded Neria,
Claudia Ben Yaakov, Efraim Tzafiir, Moshe Blau, Jacob Dolev

^ CI Systems Ltd., Израиль


У36

11.25

Система вождения автомобилей ночью

Веселовский И.А., Добровольский Ю.А., Кощавцев Н.Ф., Лелейкин В.И.,

Локтионов В.И.*, Шустов Н.М.

^ Филиал ОАО «Катод» СКБ приборов ночного видения, Москва, Россия

*ОАО «Катод, Новосибирск, Россия


У37

11.45

^ Высокопрецизионные лазерные технологии изготовления приборов ракетно-космической техники

Вятлев П.А., Полищук Г.М., Пичхадзе К.М., Сысоев В.К.

ФГУП «НПО им. С.А Лавочкина», Химки, Россия


12.00 – 12.15 Перерыв

У39

12.15

Развитие оптико-электронных приборов наблюдения и прицеливания в направлении от односпектральных к одноканальным многоспектральным системам на примерах работ ОКБ ОАО «РОМЗ»

Медведев А.В., Иваницкий В.Д., Князева С.Н.

^ ОАО «РОМЗ», Ростов-Ярославский, Россия


У40

12.35

Мультиспектральный тепловизор с фильтрующим устройством на основе наклонного интерферометра Фабри-Перо

Свиридов А.Н., Филачев А.М., Пономаренко В.П., Бурлаков И.Д.,
Дирочка А.И

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У41

12.55

Приборы ориентации по Земле на основе неохлаждаемых микроболометрических матричных приёмников для космических аппаратов (ПОЗ)

Пирогов М.Г., Видецких Ю.А., Федосеев В.И., Варламов В.И.,

Зензинов С.Ю., Колосов М.П., Стрижова Н.М., Гебгарт А.Я.,

Денисов В.В., Терехов М.А.

^ ОАО «НПП «Геофизика – Космос», Москва, Россия


У42

13.10

Активно-импульсный прибор ночного видения для области спектра 0,9 – 1,7 мкм

Белоконев В.М., Волков В.Г., Леонова Г.А., Саликов В.Л.

^ ФГУП «Альфа», Москва, Россия


У43

13.25

Модернизация системы поиска и наведения Су-27 на основе двуцветной матрицы 768х8

Fan Hongbo, Kang Rixin

Куньминский институт физики, Куньмин, Китай


У81

13.50

^ Многофункциональный тепловизионный прибор на основе панорамного оптического тракта

Горелик Л.И, Куликов К.М., Полесский А.В., Селиванов А.С., Шкетов А.И.

ФГУП «НПО «Орион, Москва, Россия

14.05 – 15.30 Обед. Стендовые доклады (секция А)

У47

15.30


Новый гиперспектральный прибор наблюдения наземных и воздушных целей в диапазоне 3-5 мкм на базе интерферометра

Dario Cabib, Amir Gil, Moshe Lavi, Robert A. Buckwald, Stephen G. Lipson*

^ CI Systems Ltd., Израиль

*Physics Department, Technion-Israel Institute of Technology, Хайфа, Израиль


У44

15.50

Исследование технологических возможностей создания многоспектральных ИК-приборов

Потелов В.В., Сеник Б.Н.

ФНПЦ ОАО «Красногорский завод им. С.А. Зверева", Красногорск, Россия


У45

16.10


^ Низкочастотный шум в модулях формирования тепловизионного сигнала на основе смотрящих МФПУ формата 256х256

Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Полунеев В.В., Яковлева Н.И.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У46

16.30

Тепловизионный прибор для спектрального диапазона на
3-5 мкм на основе МФПУ из антимонида индия

Соляков В.Н., Горелик В.Н., Кортиков М.В., Полесский А.В.,
Полторацкий А.В.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У48

16.50

Тепловизионная интеллектуальная система безопасного управления транспортными средствами

Филачев А.М., Пономаренко В.П., Горелик В.Н., Богуславский А.А.*,

Соколов С.М.*, Платонов А.К.*, Кий К.И.*

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва, Россия


У49

17.10

^ Системы теплового контроля нового поколения для РЖД

Гиндин Д.А, Ежов В.П., Грибанов А.А., Долганин Ю.Н., Карпов В.В.,

Козырев М.Е., Колганов О.Л., Кузнецов Н.С., Савченко М.А.

ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия


17.20 – 17.35 Перерыв

У71

17.35

Амплитудные и статистические характеристики одноквантовых фотоприемников

Зеневич А.О.

УО «Высший государственный колледж связи», Минск, Беларусь


У51

17.55

^ ИК МФПУ с оптимальной диафрагмой

Патрашин А.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У52

18.15

^ Исследование характеристик перестраиваемого фильтра ИК изображений на основе наклонного интерферометра

Свиридов А.Н., Куликов К.М., Кононов А.С., Сагинов Л.Д., Селиванов А.С.

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У53

18.35

Микроскоп-спектроанализатор для изучения спектральных свойств микрообъектов

Колтовой Н.А.

Лабметод, Москва, Россия


18.45 – 20.00 Стендовые доклады (секция А)

^ Четверг, 29 мая (секция А)

9.30 – 12.00

П14

9.30

Нетрадиционные методы термостабилизации элементов фото- и микроэлектроники

Булат Л.П., Пахомов О.В., Старков А.С.

^ Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных технологий, Россия


У54

9.55

Термоэлектрические сенсоры из материалов с анизотропной термоэдс

Анатычук Л.И., Прибыла А.В.

Институт термоэлектричества, Черновцы, Украина


У57

10.15

^ Состояние разработки и перспективы развития МКС Сплит-Стирлинг для охлаждаемых ФПУ

Липин М.В., Громов А.В.

ООО «НТК «Криогенная техника», Омск, Россия


У55

10.35

^ Миниатюрный линейный холодильник типа Сплит-Стирлинг для портативных тепловизоров

Veprik A., Vilenchik H., Riabzev S. and Pundak N.

Ricor, Cryogenic and Vacuum Systems, Израиль


У56

10.55

^ Разработка конструкции и технологии создания унифицированного ряда цельнометаллических криостатов для ИК-фотоприемников различного спектрального диапазона

Гиндин Д.А., Ежов В.П., Карпов В.В., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С., Петренко В.И.

^ ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия

У58

11.10

Оптимизация криогенного излучающего холодильника

Абросимов А.И., Верлан А.А., Полищук Г.М., Пичхадзе К.М., Сысоев В.К.

^ ФГУП «НПО им. С.А Лавочкина», Химки, Россия


У59

11.25

Термоэлектрическое охлаждение для детекторных применений

Громов Г.Г., Ершова Л.Б.

ЗАО «РМТ», Москва, Россия


У60

11.40

^ Дроссельная бортовая система охлаждения на базе баллона с криогенной заправкой

Довгялло А.И., Логашкин А.П., Сармин Д.В., Угланов Д.А.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, Россия

^ 11.55 – 12.10 Перерыв
У61

12.10

Контакты металл – теллурид кадмия-ртути

Стафеев В.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У62

12.30

^ Выращивание эпитаксиальных структур КРТ комбинацией методов ЖФЭ и MOCVD для ИК-детекторов с узкой спектральной характеристикой

Котков А.П.*, Гришнова Н.Д.*, Моисеев А.Н.*, Денисов И.А.**,

Смирнова Н.А.**, Шматов Н.И.**,

*Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия

**ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия


У63

12.45

^ Разработка элементов технологии монолитного инфракрасного фотоприемника

Якушев М.В., Васильев В.В. Дворецкий С.А., Козлов А.И., Сидоров Ю.Г.,

Фомин Б.И., Асеев А.Л.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

У64

13.00

Выращивание наногетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г.,

Сидоров Ю.Г.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У65

13.25

ГЭС КРТ МЛЭ с внутренним отрезающим фильтром

Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Предеин А.В.,

Сусляков А.О., Васильев В.В.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У66

13.40

Исследование дефектной структуры эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных молекулярно лучевой эпитаксией, при ионном травлении

Ижнин И.И.*, Ильина Е.С.*, Курбанов К.Р.*, Дворецкий С.А.**,

Михайлов Н.Н.**, Сидоров Ю.Г.**, Варавин В.С.**, Мынбаев К.Д.***,

Поцяск М.****

* НИИ материалов НПП «Карат», Львов, Украина

** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

****Институт физики Университета Жешув, Польша


У67

13.55

^ Гетероэпитаксиальные структуры PbSnTe:In/BaF2/CaF2/ Si для интегрального матричного фотоприемного устройства диапазона длин волн до 16 мкм

Акимов А.Н., Климов А.Э., Супрун С.П., Шумский В.Н.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


14.10 – 14.45 ^ Обед. Стендовые доклады (Секция Б)

Экскурсия 15.00


Пятница, 30 мая

9.30 –11.35

П12

9.30

^ Необходимость и перспективы разработок больших фокальных поверхностей с твердотельными фотоприемниками для внеатмосферных систем обнаружения РКО

Иванов В.Г.*, Каменев А.А. *, Степанов Р.М.

ОАО «ЦНИИ «Электрон», С-Петербург, Россия

*НИЦ 4-го ЦНИИ МО, С-Петербург, Россия


П13

9.55

Мощные светодиоды в средней ИК-области спектра (1.6 4.6 мкм) на основе А3В5 гетероструктур для метрологических применений

Яковлев Ю.П.

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург, Россия


У68

10.20

^ Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе широкозонных полупроводниковых материалов

Бланк T.В., Гольдберг Ю.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, Россия


У69

10.40

Фотовольтаический детектор на основе асимметричной гетероструктуры II типа p InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p GaSb c одиночной квантовой ямой для спектрального диапазона 1.5 3.6 мкм

Михайлова М.П., Андреев И.А., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С Петербург, Россия


У70

11.00

Многокаскадный лавинный фотодиод

Патрашин А.И.
^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия



У50

11.15

Приемники ИК изображения на основе термомеханических наноразмерных мембран

Беспалов В.А., Федирко В. А., Фетисов Е. А.

ГОУ «Московский государственный институт электронной техники (ТУ)», Москва, Зеленоград

^ 11.30 – 11.45 Перерыв
У72

11.45

Широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb с длинноволновой границей чувствительности l=4.5 мкм

Матвеев Б.А., Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А.,

Ременный М.А., Стусь Н.М., Черняков А.Е.

^ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, Россия


У73

12.00

Исследование характеристик структур с барьером Шоттки Nі ZnSe и технологии энергоселективных УФ фотодиодов

Перевертайло В.Л., Добровольский Ю.Г.*, Шабашкевич Б.Г.*

^ НИИ МП НТК ИМК НАН, Киев, Украина

*ООО НПФ «Тензор», Черновцы, Украина


У74

12.15

Химическая пассивация фотодиодов на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb

Куницына Е.В., Андреев И.А., Львова Т.В., Яковлев Ю.П.

^ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург


У75

12.30

Многоэлементные ИК приемники с барьером Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера

Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А., Арутюнов В.А.*, Степанов Р.М.*,
Панасенков В.И *

^ Научно-исследовательский центр - филиал 4 ЦНИИ МО, С-Петербург, Россия

*ОАО «ЦНИИ «Электрон», С-Петербург, Россия


У76

12.45

^ Фотоприемники инфракрасного диапазона спектра для оптического приборостроения

Глобус Е.Р., Комов А.А., Никитин М.С., Чеканова Г.В.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия


У77

13.00

Высокостабильные фоторезисторы спектрального диапазона 8 12 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия

Акимова Н.М., Гусаров А.В., Карпов В.В., Крапухин В.В., Сусов Е.В.,

Филатов А.В., Варавин В.С.*, Сидоров Ю.Г.*

^ ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия

*Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У78

13.15

^ Фотоприемники SPRITE на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)

Комов А.А., Другова А.А., Никитин М.С., Чеканова Г.В., Ларцев И.Ю.

^ ФГУП «Альфа», Москва, Россия


У79

13.30

Компенсация, захват носителей заряда и эффективность работы детектора из теллурида кадмия

Бабенцов В.Н., Сизов Ф.Ф.

Институт физика полупроводников НАН, Киев, Украина


13.45

^ Закрытие конференции


СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

Секция А

Среда, 28 мая

А01


^ Новый метод численного моделирования стационарных флуктуационных явлений в полупроводниковых структурах и приборах

Селяков А.Ю.

ФГУП «НПО «Орион» Москва, Россия


А02


Метод расчета фоновой облученности МФПУ
с холодной диафрагмой произвольной формы

Патрашин А.И.
^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия



А03


Фоновые облученности ИК МФПУ с холодными диафрагмами заданных типов

Патрашин А.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А04


^ Двухспектральный фотоприемный модуль

Бочков В.Д., Бычковский Я.С., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А.,

Ефимов И.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А05


^ Фотоприемные устройства для теплопеленгационной аппаратуры

Бочков В.Д.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А06


^ Устойчивость антиотражающего покрытия чувствительного элемента ИК фотоприемников к термоциклированию

Болтарь К.О., Стафеев В.И., Седнев М.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А07


^ Инфракрасная камера с 256х256 InSb МФПУ для астрономических наблюдений на 125 см телескопе ГАИШ МГУ

Кравченко Н.В., Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Маслов И.А.*,

Наджип А.Э.*, Таранова О.Г.*, Татарников А.М.*

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*Государственный астрономический институт им. П. К. Штернберга МГУ, Москва, Россия


А08


^ Матричное фотоприемное устройство на основе InSb формата 256х256 для астрономических применений

Кравченко Н.В., Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Рябова А.А., Наджип А.Э.*, Татарников А.М.*

^ ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*Государственный астрономический институт им. П.К. Штернберга МГУ, Москва, Россия


А09


^ Формирование внутренней поверхности диафрагмы матричного ФПУ

Савостин А.В., Киселева Л.В., Касаткин И.Л.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А10


^ Формирование индиевых микроконтактов ионным травлением

Седнев М.В., Болтарь К.О., Мезин Ю.С.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

А11


^ Разработка технологического процесса переклейки при изготовлении матричного ФП на основе InSb

Хитрова Л.М., Киселёва Л.В., Чишко В.Ф., Касаткин И.Л.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А12


^ Энергетические диаграммы гетеропереходов p CdxHg1-xTe/CdTe Головин С.В., Кашуба А.С.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А13


^ Определение пластических свойств индия при гибридизации матричных фотоприемных устройств

Ефимов В.М., Есаев Д.Г.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А14


^ Легирование ГЭС КРТ МЛЭ на кремнии в процессе роста

Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сорочкин А.В, Сидоров Ю.Г., Якушев М.В.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

А15


^ Формирование многоэлементных ИК фоточувствительных матриц фотоприемников, формата 128х128 элементов на основе CdHgTe

Цибрий З.Ф., Вуйчик Н.В., Билевич Е.О., Апатская М.В., Смолий М.И., Андреева Е.В., Лысюк И.А.

^ Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина

А16


Селективный рост слоев CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(310)

Якушев М.В. Дворецкий С.А. Сидоров Ю.Г. Фомин Б.И.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А17


Использование смесей минеральных кислот для химической обработки монокристаллов CdTe и Сd0,22Hg0,78Te

Томашик З.Ф., Окрепка Г.М., Томашик В.Н., Лукиянчук Э.М.,
Морозовская В.И

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


А18


^ Глубокие центры примесей III группы в теллуриде свинца, возникающие при различных методах легирования

Петренко Т.Л., Пляцко С.В., Сизов Ф.Ф.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


А19


^ Об одном подходе к дешифрированию многозональных изображений

Алеев Р.М., Фофанов В.Б.

Филиал ФГУП «ПО УОМЗ» «УОМЗ - Институт прикладной оптики», Казань, Россия


А20


^ Основные принципы разработки тепловизионных приборов (ТВП) с открытой модульной архитектурой

Алеев Р.М., Алеев Д.Р.*

Филиал ФГУП «ПО «УОМЗ» УОМЗ - Институт прикладной оптики», Казань, Россия

*ЛИИ им. М.М. Громова, Жуковский, Россия


А21


^ Открытая и взаимозависимая архитектура тепловизионных приборов

Алеев Р.М.

Филиал ФГУП «ПО «УОМЗ» УОМЗ - Институт прикладной оптики», Казань, Россия


А22


^ Моделирование ИК фотодиода на основе варизонного твердого раствора CdHgTe со ступенчатым профилем градиента ширины запрещенной зоны

Соколовский Б.С., Писаревский В.К.

^ Львовский национальный университет им. Ив. Франко, Львов, Украина


А23


Имитатор инфракрасных изображений

Матюшенко В.Г., Дмитриевский Ю.Н.

^ Государственный НИИ авиационных систем, Москва, Россия


А24


Особенности получения слоев HgCdTe методом жидкофазной эпитаксии

Гусейнов Э.К., Эминов Ш.О., Раджабли А.А., Ибрагимов Т.И.

Институт физики НАН, Баку, Азербайджан


А25

^ Метод расчета фотоэлектрических параметров ИК МФПУ
Патрашин А.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А26


^ Приемник субмиллиметрового излучения на основе CdxHg1-xTe (х ~ 0,2)

Сизов Ф.Ф., Забудский В.В., Смирнов А.Б., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Момот Н.И.

^ Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН, Киев, Украина


А27


Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8 12 мкм

Гуменюк-Сычевская Ж.В., Васильев В.В.*, Дворецкий С.А.*,

Забудский В.В., Лысюк И.А., Михайлов Н.Н.*

^ Институт физики полупроводников НАН Киев Украина

*Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А28


^ Оплавленные индиевые столбы в технологии сборки ИК ФПУ

Новоселов А.Р., Кузьмин Н.Б., Васильев В.В., Валишева Н.А.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А29


^ Оптимизация температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных ФП

Новоселов А.Р., Предеин А.В., Косулина И.Г., Васильев В.В.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А30


Исследование МДП структур на основе МЛЭ CdHgTe с анодным окислом

Васильев В.В., Машуков Ю.П.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А31


^ Матричный КМОП мультиплексор с элементами дельта сигма АЦП в ячейке

Бородин Д.В., Осипов Ю.В., Самотаев Б.А.

ФГУП «НПП «Пульсар», Моск