Реферат: Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

РЕФЕРАТ НА ТЕМУ                    

 

АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС НА БАЗОВЫХМАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ

 

Предварительныесведения

Вданном реферате  рассматриваются  технологии,  связанные  с особенностямипроектирования СБИС на базовых матричных кристаллах. Рассказывается о самомпонятии базового матричного кристалла. Анализируются основные этапыавтоматизированного процесса пректирования

ПОТРЕБНОСТЬЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС

СТАНДАРТНЫЕИ ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС

         БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

 Характернойтенденцией развития элементной  базы  современной электронно-вычислительнойаппаратуры является быстрый рост степени интеграции. В этих условиях актуальнойстановится проблема ускорения темпов разработки узлов аппаратуры,представляющих собой БИС и СБИС. При решении данной проблемы  важно  учитывать существование двух различных классов интегральных схем: стандартных (иликрупносерийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства которыхдостигает  миллионов  штук  в  год.  Поэтому  относительно большие затраты наих проектирование и  конструирование оправдываются. Этот класс схем включает микропроцессоры,  различного  вида полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ,ОЗУ и т.д.), серии стандартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие  ко второму  классу, при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год,выпускаются для удовлетворения нужд отдельных  отраслей промышленности. Значительнаячасть стоимости таких схем определяется  затратами на их проектирование

Основнымсредством снижения стоимости проектирования и, главное, ускорения темповразработки новых видов  микроэлектронной аппаратуры  являются  системы  автоматизированного   проектирования (САПР). В результате совместных действийконструкторов, направленных на уменьшение сроков и снижение стоимостипроектирования БИС и СБИС, появились так называемые полузаказные интегральныемикросхемы, в которых топология в значительной степени определяетсяунифицированной конструкцией кристалла. Первые схемы, которые можно отнести кданному классу, появились в 60-х  годах.  Они изготавливались наунифицированном кристалле  с  фиксированным  расположением функциональныхэлементов. При этом  проектирование  заключалось  в назначении функциональныхэлементов схемы  на  места  расположения соответствующих функциональныхэлементов  кристалла  и  проведении соединений. Такой кристалл получил название  базового,  поскольку все фотошаблоны (исключая слои коммутации)  для его  изготовления являются постоянными и не зависят от реализуемой схемы.  Этикристаллы, однако, нашли ограниченное применение  из-за неэффективного использованияплощади кристалла, вызванного  фиксированным положением функциональных элементовна кристалле

Длячастичной  унификации  топологии  интегральных  микросхем (ИС) использовалосьтакже проектирование схем на основе набора типовых ячеек. В данном случаеунификация состояла в  разработке топологии набора функциональных (типовых ячеек,имеющих стандартизованные параметры (в частности, разные размеры по вертикали). Процесс проектирования при этом заключался в размещении в  видегоризонтальных линеек типовых  ячеек,  соответствующих  функциональным элементамсхемы, в размещении линеек  на  кристалле  и  реализации связей, соединяющихэлементы, в промежутках между линейками. Ширина таких промежутков, называемыхканалами, определяется в процессе трассировки. Отметим, что хотя в данномслучае имеет  место унификация топологии, кристалл не является базовым,поскольку  вид всех фотошаблонов определяется в ходе проектирования

Современныеполузаказные схемы реализуются на базовом матричном кристалле (БМК), содержащемне соединенные между  собой простейшие элементы (например, транзисторы), а  не функциональные элементы как в рассмотренном выше базовом  кристалле.  Указанныеэлементы располагаются на кристалле матричным способом (в  узлах прямоугольнойрешетки). Поэтому такие схемы часто называют матричными БИС. Как и в схемах натиповых ячейках топология набора логических элементов разрабатывается заранее.Однако в данном  случае топология логическиго элемента создается на основерегулярно расположенных простейших элементов. Поэтому в ходе проектированиялогическимих элемент может быть размещен в любом  месте  кристалла,  а  для созданиявсей схемы требуется изготовить только  фотошаблоны слоев коммутации. Основныедостоинства  БМК,  заключающиеся  в  снижении стоимости и временипроектирования, обусловлены:  применением  БМК для проектирования иизготовления широкого класса БИС; уменьшением числа детализированных решений входе проектирования  БИС; упрощением  контроля и внесения изменений втопологию;  возможностью эффективного использования автоматизированных  методовконструирования, которая обусловлена однородной структурой БМК

Нарядус отмеченными достоинствами БИС  на  БМК  не  обладают предельными для данногоуровня технологии параметрами и,  как правило, уступают как заказным, так истандартным  схемам.  При  этом следует различать технологические параметрыинтегральных микросхем и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микросхемах. Хотя технологические параметры стандартных  микросхем малой исредней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств, реализованныхна их основе, оказываются относительно низкими

                   ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК       Базовый кристалл представляет собой  прямоугольнуюмногослойную пластину фиксированных размеров, на  которой  выделяютпериферийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной  областирасполагаются внешние контактные  площадки  (ВКП)  для  осуществления внешнегоподсоединения и периферийные ячеики для реализации буферных схем (рис. 2).Каждая внешняя ячейка связана  с  одной  ВКП  и включает диодно-транзисторнуюструктуру,  позволяющую  реализовать различные буферные схемы за счетсоответствующего  соединения элементов этой структуры. В общем случае впериферийной области могут находиться ячейки различных типов. Причемпериферийные  ячейки могут располагаться на БМК в различных ориентациях(полученных поворотом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением).  Подбазовой ориентацией ячейки понимают  положение  ячейки,  расположенной  на нижнейстороне кристалла

                               +--¬

    ---------------¬           +¬ ¦

     ¦ Переферийная¦           +- ¦

     ¦  ---------¬ ¦           +--+       ВО

     ¦  ¦Внутрен.¦ ¦           +¬ ¦

     ¦  ¦область ¦ ¦           +- ¦

     ¦  L--------- ¦           +--+-----T-----T-----T---

     ¦   область   ¦         ПО+-¬¦ --¬ ¦ --¬ ¦ --¬ ¦

    L---------------           L-++-+-+-+-+-+-+-+-+-+----

                                     ПЯ          ВКП

         рис.1                          рис 2.

Во внутренней областикристалла матричным способом располагаются макроячейки для реализации элементовпроектируемых схем (рис. 3). Промежутки между макроячейками используются  дляэлектрических соединений. При  матричном  расположении  макроячеек  область для трассировки естественным образом разбивается на  горизонтальные  и вертикальныеканалы. В свою очередь в пределах макроячейки матричным способом располагаютсявнутренние ячейки для  реализации логических элементов. Различные способырасположения  внутренних ячеек и макроячейках показаны на рис. 4.  Причем наряду  с  размещением ячеек «встык» применяется размещение сзазорами, в  которых  могут проводиться трассы электрических соединений

   ¦ --------                  --T-¬          --T-T-T-T-T

   ¦L--------               a)+-+-+        c)+-+-+-+-+-+-

   ¦ ----------¬ ----         L-+--          L-+-+-+-+-+-+

   ¦ L---------- L---         --T-T-T-T-T    --TT-TT-TT-TT-TT

   ¦ ----------¬  -----      b)L-+-+-+-+-+-d)L-++-++-++-++-

   ¦ L----------  L----

  L-------------------        Примеры структур макроячеек.

       Структура ВО

Особенностьюячейки является  специальное  расположение выводов, согласованное соструктурой  макроячейки.  А  именно,  ячейки размещаются таким образом, чтобывыводы ячеек оказались на периферии макроячейки. Так, в одной из макроячееквыводы  каждой  ячейки дублируются на верхней и нижней ее сторонах. При этомимеется возможность подключения к любому выводу с  двух  сторон  ячейки,  что создаетблагоприятные условия для трассировки.  Последнее особенно важно припроектировании СБИС

Вдругой макроячейке выводы ячейки  располагаются  только  на одной стороне, т.е.  выводы  ячеек  верхнего  ряда  находятся  на верхней стороне макроячейки, анижнего — на  нижней.  Применение таких макроячеек позволяет сократить требуемую площадь кристалла, но приводит к ухудшению условий для  трассировки.  Поэтому данный тип макроячеек используется лишь при степени интеграции, не превышаюшей100 200 вентилей на кристалл. Отметим,  что  в  некоторых типах БМК, кромеоднотипных макроячеек, во внутренней  области могут присутствоватьспециализированные макроячейки, реализующие типовые функциональные узлы(например, запоминающее устройство)

Помимоячеек, являющихся заготовками  для  реализации элементов, на БМК могутприсутствовать фиксированные части соединений. К ним относятся шины питания,земли, синхронизации и  заготовки  для реализации частей сигнальных соединений.Например,  для макроячеек (b) шины питания и земли проводятся вдоль верхней и нижней сторон соответственно. Для макроячеек (a,d) шины проводятся  вдольлинии, разделяюшей верхний и нижний ряды ячеек, что приводит к уменьшению потерьплощади кристалла. Для реализации сигнальных  соединений на БМК получилираспространение  два  вида  заготовок:  фиксированное расположениеоднонаправленных  (горизонтальных  или  вертикальных) участков трасс в олномслое; фиксированное  расположение  участков трасс в одном слое и контрактныхокон, обеспечиваюших выход фиксированных трасс во второй слой

Впервом случае для реализации коммутации проектируемой схемы не требуетсяразработка фотошаблона  фиксированного  слоя,  т.  е. число разрабатываемыхфотошаблонов уменьшается на единицу. Во втором случае число разрабатываемыхфотошаблонов уменьшается  на  два (не требуется также фотошаблон контактныхокон).  Отметим,  что  в настоящее время получили распространение различные виды  формы  и расположения фиксированных трасс и  контактных  окон.Целесообразность использования того или иного вида определяется типоммакроячеек, степеныо интеграции кристалла и объемом производства

Приреализации соединений на  БМК  часто  возникает необходимость проведения трассычерез область, занятую макроячейкой. Такую трассу будем называть транзитной.Для обеспечения такой возможности допускается: проведение соединения черезобласть, занятую ячейкой, проведение через зазоры между ячейками. Первый способ  может применяться, если в ячейке не реализуется элемент,  илиреализация элемента допускает использование фиксированных  трасс  инеподключенных выводов для проведения транзитной трассы

Такимобразом, в настоящее время разработано большое многообразие типов БМК, которыеимеют различные пераметры. При проектировании микросхем на БМК необходимоучитывать конструктивно-технологические характеристики кристалла. К ним относятся геометрические параметры кристалла, форма и расположение макроячеек на кристалле и ячеек внутри макроячеек, расположение шин  и  способ  коммутациисигнальных соединений

Итак,следует отметить, что задача определения  структуры БМК является достаточносложной, и  в  настоящее  время  она  решается конструктором преимущественно сиспользованием средств автоматизации

        РЕАЛИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БМК       Выше было показано, что БМКпредставляет собой  заготовку, на которой определенным образом размещеныэлектронные  приборы (транзисторы и др.). Следовательно, проектированиемикросхемы можно было бы вести и на приборном уровне. Однако этот способ  не находит распространения на практике по следующим причинам. Во-первых, возникаетзадача большой размерности.  Во-вторых,  учитывая повторяемость структурычастей кристалла и  логической  схемы,  приходится многократно решатьоднотипные задачи. Поэтому применение БМК предполагает использованиебиблиотеки  типовых  логических  злелентов, которая разрабатываетсяодновременно с конструкцией  БМК.  В  этом отношении проектирование матричныхБИС подобно  проектированию печатных плат на базе типовых серий микросхем

Такимобразом, при применении БМК проектируемая  схема описывается на уровнелогических элементов, а каждый элемент содержится в библиотеке. Эта библиотекаформируется заранее. Она должна обладать функциональной полнотой для реализацииширокого спектра схем. Традиционно подобные библиотеки содержат следующиеэлементы: И-НЕ, ИЛИ-НЕ, триггер, входные, выходные усилители и др.  Дляреализации элемента используется одна или несколько ячеек  кристалла,  т.  е. размерыэлемента всегда кратны размерам ячейки. Топология элемента разрабатывается наоснове конструкции ячейки и  представляет собой совокупность трасс, которыесовместно с  имеющимися  на  кристалле постоянными частями реализуют требуемуюфункцию.  Именно  описание указанных соединений и хранится в библиотеке

Взависимости от того, на каких ячейках реализуются элементы, можно выделитьвнешние (согласующие усилители,  буферные  схемы  и др.) и внутренние, илипросто логические  элементы.  Если  внешние элементы имеют формупрямоугольников независимо от типа кристалла, то для логических элементовсушествует большое  разнообразие форм, которое определяется типом макроячеек.Так, для макроячейки,

         г========¬ г========¬  г===T====¬  г========¬

         ¦        ¦ ¦        ¦  ¦---¦    ¦  ¦--------¦

         ¦----¬   ¦ ¦--------¦  ¦---L----¦  ¦--------¦

         ¦----¦   ¦ ¦--------¦  ¦--------¦  ¦--------¦

         L====¦===- L========-  L========-  L========-

                         рис. 5

заннойна рис. 4(a), возможные формы элементов приведены  на  рис. 5. При этом следуетиметь в виду, что каждая форма может быть реализована с поворотом относительно  центра  макроячейки  на  угол, кратный 90'. Для расширениявозможностей  наилучшего использования площади кристалла для каждогологического элемента разрабатываются варианты тапологии, позволяющие его реализоватьв различных частях макроячейки. Поскольку структура макроячейки  обладаетсимметрией, то эти варианты топологии, как правило, могут быть получены избазового вращением относительно осей симметрии

Припроектировании на уровне элементов  существенными данными являются формалогического элемента  и  расположение  его  выводов (цоколевка)

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАТРИЧНЫХБИС                    ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ

Задачаконструирования матричных БИС состоит  в  переходе  от заданной логическойсхемы к ее  физической  реализации  на  основе БМК. При этом исходные данныепредставляют собой описание логической схемы на уровне библиотечных логических элементов, требования к его функционированию, описание конструкции  БМК  и библиотечных элементов, а также технологические ограничения. Требуется получитьконструкторскую документацию для изготовления работоспособной матричной БИС.Важной характеристикой  любой  электронной  аппаратуры является плотностьмонтажа. При проектировании матричных БИС плотность монтажа определяетсяисходными данными.  При  этом  возможна ситуация, когда искомый вариантреализации  не  существует.  Тогда выбирается одна из двух альтернатив: либоматричная БИС проектируется на БМК больших размеров, либо часть схемыпереносится на другой кристалл, т.  е.  уменьшается  объем  проектируемой схемы

Основнымтребованием к проекту является  100%-ная  реализация соединений схемы, атрадиционным критерием, оценивающими проект, суммарная длина соединений. Именноэтот показатель связан с такими эксплуатационными параметрами, как надежность,помехоустойчивость, быстродействие. В целом задачи конструирования матричныхБИС и печатных плат родственны, что определяется заранее  заданной  формой элементови высоким уровнем унификации конструкций. Вместе  с  тем имеют место следующиеотличия:      элементы матричных БИС имеют более сложную  форму  (непрямоугольную);      наличие нескольких вариантов реализации одного  и  того же типа элемента;      позиции для размещения элементов группируются  вмакроячейки;      элементы могут содержать проходы для транзитных трасс;      равномерноераспределение внешних элементов по всей периферии кристалла;      ячейка БМК,не занятая элементом, может  использоваться для реализации соединений;      числоэлементов матричных БИС значительно  превышает значение соответствующегопараметра печатных плат

Перечисленныеотличия не позволяют  непосредственно использовать САПР печатных плат дляпроектирования матричных  БИС. Поэтому в настоящее время используются иразрабатываются новые САПР, предназначенные для проектирования матричных БИС,а  также дорабатываются и модернизируются уже действующие САПР печатных плат для решения новых задач. Реализация последнего способа  особенно упрощается,когда в системе имеется набор программ для решения задач теории графов,возникающих при конструировании

Посколькутрассировка соединений на БМК  ведется  с  заданным шагом на дискретном рабочемполе (ДРП), то необходимо чтобы выводы элементов попадали в клетки ДРП. Однаковнешние  выводы макроячеек могут располагаться с шагом, не кратным шагу ДРП. В  этом  случае используется простой прием введения фиктивных контактныхплощадок, связанных с внутренними частями ячейки. Если трасса  к макроячейке неподходит, то область фиктивной площадки остается свободной

Приразработке САПР БИС на БМК необходимо  учитывать требования к системам,диктуемые спецификой решаемой задачи. К  ним относятся:       1. Реализациясквозного  цикла  проектирования  от  схемы  до комплектов машинных документовна изготовление,  контроль эксплуатацию матричных БИС

2.Наличие архива данных о разработках, хранимого  на долговременных машинныхносителях информации

3.Широкое применение интерактивных режимов  на  всех  этапах проектирования

4.Обеспечение работы САПР в  режиме  коллективного пользования.   Учитывая  большую   размерность   залачи   проектирования, большинство существующих САПРматричных БИС  реализовано  на высокопроизводительных ЭВМ. Однако в последнееврем  все  больше зарубежных фирм применяет и мини-ЭВМ

             ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ       Процесс проектирования матричных БИСтрадиционно  делится  на следующие укрупненные этапы:       1. Моделированиефункционирования объекта проектирования.      2. Разработка топологии.      3.Контроль результатов проектирования и доработка.      4. Выпуск конструкторскойдокументации

Рассмотримкаждый шаг в отдельности. Поскольку  матричная БИС является ненастраиваемым ине ремонтоспособным объектом,  то необходимо еще  на  этапе  проектирования обеспечить  его  правильное функционирование. Достижение этой цели возможно двумя  способами: созданием макета матричных БИС на основе  дискретных элементов  и его испытанием и математическим моделированием. Первый способсвязан с большими временными и стоимостными затратами.  Поэтому макет используетсятогда, когда он специально не разрабатывается,  а уже существует (например, припереходе от реализации устройств  на печатных платах к матричным БИС). Второйспособ требует создания эффективной системы моделирования схем большогоразмера, так как при моделировании необходимо  учитывать  схемное  окружение матричных БИС, которое по числу элементов во много раз больше самой схемы

Этапразработки топологии связан с решением  следующих задач: размещение элементовна БМК, трассировка соединений, корректировка топологии. Иногда в качествепредварительного шага  размещения решается специальная задача компоновки(распределения  элементов  по макроячейкам). В этом случае возможны различныеметоды решения задачи размещения. Первый метод состоит в том, чтобы послекомпоновки размещать группы элементов, соответствующих макроячейкам, а затемразмещать элементы внутри каждой макроячейки. При  этом критерий оптимальностикомпоновки включает  составляющие, определяемые плотностью заполнениямакроячеек и связностью элементов макроячейки. Достоинствами этого методаявляются сокращение размерности задачи размещения и сведение исходной задачи к традиционным задачам компоновки и размещения. Возможность применениятрадиционных методов компоновки предопределяется тем, что условие существованияреализации группы элементов в макроячейке для получивших распространение БМКлегко выражается через суммарную площадь элементов и отношение совместимостипар элементов. Отметим, что так как расположение элементов внутри макроячеексущественно  влияет  на  условия трассировки соединений между  макроячейками, рассмотренный  метод решения задачи размещения для некоторых  типов  БМК может  давать сравнительно низкие результаты

Другойметод размещения состоит в распределении  элементов по макроячейкам с учетомкоординат макроячеек. В этом случае  в  ходе компоновки определяются координатыэлементов с точностью до размеров макроячеек и появляется возможность учетаположения транзитных трасс. Для матричных схем небольшой степени  интеграции (до  1000 элементов на кристалле) применяются модификации традиционныхалгоритмов размещения и трассировки. Для СБИС на БМК необходима разработкаспециальных методов

Задачакорректировки топологии возникает в связи с  тем,  что существующие алгоритмыразмещения и  трассировки  могут  не  найти полную реализацию объектапроектирования на  БМК.  Возможна ситуация, когда алгоритм не находитразмещение всех элементов на кристалле, хотя суммарная площадь элементов меньше  площади  ячеек  на кристалле. Это положение может  быть  обусловлено как  сложностью формы элементов, так и необходимостью выделения ячеек дляреализации транзитных трасс. Задача определения минимального числа макроячеекдля размещения элементов сложной  формы  представляет  собой известную задачупокрытия

Возможностьотсутствия полной трассировки обусловлена эвристическим характером применяемыхалгоритмов. Кроме того,  в  отличие от печатных плат навесные проводники в матричных  БИС  запрещены. Поэтому САПР матричных БИС обязательно включаетсредства корректировки топологии. При этом в процессе  корректировки выполняются следующие операции: выделение линии соединяемых фрагментов;изменение положения элементов и трасс с  контролем  вносимых  изменений; автоматическаятрассировки  указанных  соединений;  контроль соответствия результатовтрассировки исходной схеме. Уже  сейчас актуальной является задачаперепроектирования любого фрагмента топологии. Для матричных БИС такимфрагментом может быть канал для трассировки, или макроячейка, в которойварьируется размещение элементов и др. Решение последней задачи, помимореализации функций проектирования с заданными граничными условиями (определяемыми окружением  фрагмента),  требует  разработки   аппарата  формирования подсхемы, соответствующей выделенному фрагменту

Наэтапе контроля проверяется адекватность полученного проекта исходным данным. Сэтой целью прежде всего контролируется соответствие топологии исходнойпринципиальной (логической) схеме. Необходимость данного вида контроляобусловлена корректировкой топологии, выполненной разработчиком,  поскольку этог  процесс  может сопровождаться внесением ошибок. В настоящее  время известны  два способа решения рассматриваемой задачи. Первый сводится  квосстановлению схемы по топологии и дальнейшему сравнению ее с исходной. Этазадача близка к проверке изоморфизма графов. Однако на практике для ее решенияможет быть получен  приемлемый  по  трудоемкости алгоритм ввиду существованияфиксированного соответствия между некоторыми элементами  сравниваемых объектов.  Дополнительная сложность данной задачи связана с тем, что в процессе  проектирования происходит распределение инвариантных объектов(например, логически эквивалентных выводов элементов),  поэтому  для  логическитождественных схем могут не существовать одинаковые описания и, следовательно, требуются  специальные  модели,  отображающие инвариантные элементы. В общемслучае универсальные модели для представления инвариантных элементов неизвестны, что и явилось  одной  из причин развития второго способа, согласнокоторому проводится повторное логическое моделирование восстановленной схемы

Функционированиеспроектированной схемы мотает  отличаться от требуемого не только из-за ошибок,внесенных конструктором, но и в результате образования паразитных  элементов. Поэтому  для  более полной оценки работоспособности матричных БИС  при восстановлении схемы по топологии желательно вычислять значения  параметровпаразитных емкостей и сопротивлений и учитывать их  при  моделировании налогическом и схемотехническом уровнях

Существуютпричины, по которым перечисленные  методы контроля не позволяют гарантироватьработоспособность матричных БИС.  К ним относятся, например, несовершенствамоделей и  методов моделирования. Поэтому контроль с помощью моделирования дополняется контролем опытного образца. Для этого на этапе лроектирования  спомощью специальных программ осуществляется генерация тестов  для проверки готовыхБИС. Отметим, что при проектировании матричных  БИС проведение трудоемкогогеометрического контроля не требуется,  так  как трассировка ведется на ДРП, атопология  элементов  контролируется при их разработке

Заключительнымэтапом проектирования матричных  БИС  является выпуск конструкторскойдокументации, которая  содержит  информацию (на соответствующих  носителях) для  управления  технологическими станками-автоматами и сопроводительныечертежи и таблицы, состав и содержание которых регламентируются ГОСТами, аоформление требованиями ЕСКД. Для автоматизированного выпуска графической итекстовой документации обычно  разрабатывается  входной  язык,  который позволяет:компактно и наглядно описывать отдельные  фрагменты документа;  размещать  отдельные фрагменты  на  площади  документа; извлекать требуемую информацию из архива ивключать ее во фрагменты документов; распечатывать требуемый документ.

еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике