Реферат: Архитектура Flash-памяти

Министерство науки и образованияУкраины

Институт социальногоуправления экономики и права

Кафедра специализированныхкомпьютерных систем

Пояснительная записка

ІСУЕП 04254.009

до курсового проекта

с дисциплины: «АрхитектураЭВМ»

на тему:

«Архитектура Flash-памяти»

Проверил:

Подготовил:

проф.

Романкевич О.М.

ст.  преп.

Рудаков К.С.

студент III курса

группы КС-14

Крывонижко К.Н.

 _____________                

           (оценка)

«___»________                                                                            «___» ________

 _____________                                                                            _____________

           (подпись)                                                                                                                                                                   (подпись)

г. Черкассы 2004

Содержание

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

2

ІСУЕП 04254.009

 Разраб.

Крывонижко К.Н.

 Провер.

Рудаков К.С.

 Реценз.

 Н. Контр.

 Утверд.

Романкевич

Архитектура Flash-памяти

Лит.

Листов

30

ІСУЕП

<img src="/cache/referats/17398/image001.gif" v:shapes="_x0000_s1026 _x0000_s1027 _x0000_s1028 _x0000_s1029 _x0000_s1030 _x0000_s1031 _x0000_s1032 _x0000_s1033 _x0000_s1034 _x0000_s1035 _x0000_s1036 _x0000_s1037 _x0000_s1038 _x0000_s1039 _x0000_s1040 _x0000_s1041 _x0000_s1042 _x0000_s1043 _x0000_s1044 _x0000_s1045 _x0000_s1046 _x0000_s1047 _x0000_s1048 _x0000_s1049 _x0000_s1050 _x0000_s1051 _x0000_s1052 _x0000_s1053 _x0000_s1054 _x0000_s1055 _x0000_s1056 _x0000_s1057 _x0000_s1058 _x0000_s1059 _x0000_s1060 _x0000_s1061 _x0000_s1062 _x0000_s1063 _x0000_s1064 _x0000_s1065 _x0000_s1066 _x0000_s1067 _x0000_s1068 _x0000_s1069 _x0000_s1070 _x0000_s1071 _x0000_s1072 _x0000_s1073 _x0000_s1074 _x0000_s1075">


1.<span Times New Roman"">          

Введение… 3-4

2.<span Times New Roman"">          

Что такое flash-память?....................................................................5-9      

3.<span Times New Roman"">          

Организация flash-памяти…………………………………………10-14

4.<span Times New Roman"">          

Архитектурафлэш-памяти………………………………………..14-18

5.<span Times New Roman"">          

Карты памяти (флэш-карты)………………………………………19-28

6.<span Times New Roman"">      

  Вывод………………………………………………………………..29

7.<span Times New Roman"">          

Литература..........................................................................................30

                                                       

<span Times New Roman",«serif»; mso-fareast-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language:RU;mso-fareast-language: RU;mso-bidi-language:AR-SA">

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

3

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image002.gif" v:shapes="_x0000_s1146 _x0000_s1147 _x0000_s1148 _x0000_s1149 _x0000_s1150 _x0000_s1151 _x0000_s1152 _x0000_s1153 _x0000_s1154 _x0000_s1155 _x0000_s1156 _x0000_s1157 _x0000_s1158 _x0000_s1159 _x0000_s1160 _x0000_s1161 _x0000_s1162 _x0000_s1163 _x0000_s1164 _x0000_s1165">1.Введение

Технологияфлэш-памяти появилась около 20-ти лет назад. В конце 80-х годов прошлогостолетия флэш-память начали использовать в качестве альтернативы UV-EPROM. Сэтого момента интерес к флэш-памяти с каждым годом неуклонно возрастает.Внимание, которое уделяется флэш-памяти, вполне объяснимо – ведь это самыйбыстрорастущий сегмент полупроводникового рынка. Ежегодно рынок флэш-памятирастет более чем на 15%, что превышает суммарный рост всей остальнойполупроводниковой индустрии.

Сегодняфлэш-память можно найти в самых разных цифровых устройствах. Её используют вкачестве носителя микропрограмм для микроконтроллеров HDD и CD-ROM, дляхранения BIOS в ПК. Флэш-память используют в принтерах, КПК, видеоплатах,роутерах, брандмауэрах, сотовых телефонах, электронных часах, записных книжках,телевизорах, кондиционерах, микроволновых печах и стиральных машинах… списокможно продолжать бесконечно. А в последние годы флэш становится основным типомсменной памяти, используемой в цифровых мультимедийных устройствах, таких какmp3-плееры и игровые приставки. А все это стало возможным благодаря созданиюкомпактных и мощных процессоров. Однако при покупке какого-либо устройства,помещающегося в кармане, не стоит ориентироваться лишь на процессорнуюмощность, поскольку в списке приоритетов она стоит далеко не на первом месте.

Начало этому было положено в1997 году, когда флэш-карты впервые стали использовать в цифровых фотокамерах.

При выборе портативных устройств самое важное, на мой взгляд- время автономной работы при разумных массе и размерах элемента питания. Вомногом это от памяти, которая определяет объем сохраненного материала, и,продолжительность работы без подзарядки аккумуляторов. Возможность храненияинформации в карманных устройствах ограничивается скромными энергоресурсамиПамять, обычно используемая в ОЗУ компьютеров, требует постоянной подачинапряжения. Дисковые накопители могут сохранять информацию и без непрерывнойподачи электричества, зато при записи и считывании данных тратят его за троих.Хорошим выходом оказалась флэш-память, не разряжающаяся самопроизвольно.Носители на ее основе называются твердотельными, поскольку не имеют движущихсячастей. К сожалению, флэш-память — дорогое удовольствие: средняя стоимость еемегабайта составляет 2 доллара, что в восемь раз выше, чем у SDRAM, не говоряуж о жестких дисках. А вот отсутствие движущихся частей повышает надежностьфлэш-памяти: стандартные рабочие перегрузки равняются 15 g, а кратковременныемогут достигать 2000 g, т. е. теоретически карта должна превосходно работатьпри максимально возможных космических перегрузках, и выдержать падения стрёхметровой высоты. Причем в таких условиях гарантируется функционированиекарты до 100 лет.

Многие производители вычислительнойтехники видят память будущего исключительно твердотелой. Следствием этого сталопрактически одновременное появление на рынке комплектующих несколькихстандартов флэш-памяти

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

4

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image003.gif" v:shapes="_x0000_s1166 _x0000_s1167 _x0000_s1168 _x0000_s1169 _x0000_s1170 _x0000_s1171 _x0000_s1172 _x0000_s1173 _x0000_s1174 _x0000_s1175 _x0000_s1176 _x0000_s1177 _x0000_s1178 _x0000_s1179 _x0000_s1180 _x0000_s1181 _x0000_s1182 _x0000_s1183 _x0000_s1184 _x0000_s1185">.

<span Times New Roman",«serif»;mso-fareast-font-family:«Times New Roman»; mso-ansi-language:RU;mso-fareast-language:RU;mso-bidi-language:AR-SA">

2.Что такое flash-память?

Флэш-память — особый вид энергонезависимой перезаписываемойполупроводниковой памяти.

§<span Times New Roman""> 

Энергонезависимая

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

5

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image004.gif" v:shapes="_x0000_s1206 _x0000_s1207 _x0000_s1208 _x0000_s1209 _x0000_s1210 _x0000_s1211 _x0000_s1212 _x0000_s1213 _x0000_s1214 _x0000_s1215 _x0000_s1216 _x0000_s1217 _x0000_s1218 _x0000_s1219 _x0000_s1220 _x0000_s1221 _x0000_s1222 _x0000_s1223 _x0000_s1224 _x0000_s1225">  — не требующая дополнительной энергии дляхранения данных (энергия требуется только для записи).

§<span Times New Roman""> 

Перезаписываемая- допускающая изменение (перезапись) хранимых в ней данных.

§<span Times New Roman""> 

Полупроводниковая(твердотельная) — не содержащая механически движущихся частей (как обычныежёсткие диски или CD), построенная на основе интегральных микросхем (IC-Chip).

В отличие от многих других типов полупроводниковой памяти,ячейка флэш-памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памятисостоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейкафлэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаряуспехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивнымнаходкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько битинформации. Флэш-память исторически происходит от ROM (Read Only Memory) памяти, ифункционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш хранит в ячейкахпамяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие от DRAM, при отключении питанияданные из флэш-памяти не пропадают. Замены памяти SRAM и DRAM флэш-памятью непроисходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш работает существенномедленнее и имеет ограничение по количеству циклов перезаписи (от 10.000 до1.000.000 для разных типов). Надёжность/долговечность: информация, записаннаяна флэш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), испособна выдерживать значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающиепредельно допустимые для обычных жёстких дисков). Основное преимуществофлэш-памяти перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в том, чтофлэш-память потребляет значительно (примерно в 10-20 и более раз) меньшеэнергии во время работы. В устройствах CD-ROM, жёстких дисках, кассетах идругих механических носителях информации, большая часть энергии уходит наприведение в движение механики этих устройств. Кроме того, флэш-памятькомпактнее большинства других механических носителей. Флэш-память историческипроизошла от полупроводникового ROM, однако ROM-памятью не является, авсего лишь имеет похожую на ROM орг

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

6

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image005.gif" v:shapes="_x0000_s1227 _x0000_s1228 _x0000_s1229 _x0000_s1230 _x0000_s1231 _x0000_s1232 _x0000_s1233 _x0000_s1234 _x0000_s1235 _x0000_s1236 _x0000_s1237 _x0000_s1238 _x0000_s1239 _x0000_s1240 _x0000_s1241 _x0000_s1242 _x0000_s1243 _x0000_s1244 _x0000_s1245 _x0000_s1246">анизацию.Множество источников (как отечественных, так и зарубежных) зачастую ошибочноотносят флэш-память к ROM. Флэш никак не может быть ROM хотя бы потому, что ROM(Read Only Memory) переводится как «память только для чтения». Ни окакой возможности перезаписи в ROM речи быть не может!  Небольшая, по началу, неточность не обращалана себя внимания, однако с развитием технологий, когда флэш-память сталавыдерживать до 1 миллиона циклов перезаписи, и стала использоваться какнакопитель общего назначения, этот недочет в классификации начал бросаться вглаза. Среди полупроводниковой памяти только два типа относятся к «чистому»ROM — это Mask-ROMи PROM. В отличие от них EPROM, EEPROM и Flash относятся к классу энергонезависимойперезаписываемой памяти (английский эквивалент — nonvolatile read-write memoryили NVRWM).

ROM:

ROM (Read Only Memory) — память только для чтения. Русский эквивалент — ПЗУ (Постоянно Запоминающее Устройство). Если быть совсем точным, данный вид памяти называется Mask-ROM (Масочные ПЗУ). Память устроена в виде адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка которого может кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во время производства путём нанесения по маске (отсюда и название) алюминиевых соединительных дорожек литографическим способом. Наличие или отсутствие в соответствующем месте такой дорожки кодировало «0» или «1». Mask-ROM отличается сложностью модификации содержимого (только путем изготовления новых микросхем), а также длительностью производственного цикла (4-8 недель). Поэтому, а также в связи с тем, что современное программное обеспечение зачастую имеет много недоработок и часто требует обновления, данный тип памяти не получил широкого распространения.
Преимущества:
1. Низкая стоимость готовой запрограммированной микросхемы (при больших объёмах производства).
2. Высокая скорость доступа к ячейке памяти.
3. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к электромагнитным полям.
Недостатки:
1. Невозможность записывать и модифицировать данные после изготовления.
2. Сложный производственный цикл. PROM — (Programmable ROM), или однократно Программируемые ПЗУ. В качестве ячеек памяти в данном типе памяти использовались плавкие перемычки. В отличие от Mask-ROM, в PROM появилась возможность кодировать («пережигать») ячейки при наличии специального устройства для записи (программатора). Программирование ячейки в PROM осуществляется разрушением («прожигом») плавкой перемычки путём подачи тока высокого напряжения. Возможность самостоятельной записи информации в них сделало их пригодными для штучного и мелкосерийного производства. PROM практически полностью вышел из употребления в конце 80-х годов.
Преимущества:
1. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к электромагнитным полям.
2. Возможность программировать готовую микросхему, что удобно для штучного и мелкосерийного производства.

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

7

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image006.gif" v:shapes="_x0000_s1247 _x0000_s1248 _x0000_s1249 _x0000_s1250 _x0000_s1251 _x0000_s1252 _x0000_s1253 _x0000_s1254 _x0000_s1255 _x0000_s1256 _x0000_s1257 _x0000_s1258 _x0000_s1259 _x0000_s1260 _x0000_s1261 _x0000_s1262 _x0000_s1263 _x0000_s1264 _x0000_s1265 _x0000_s1266">
3. Высокая скорость доступа к ячейке памяти.
Недостатки:
1. Невозможность перезаписи
2. Большой процент брака
3. Необходимость специальной длительной термической тренировки, без которой надежность хранения данных была невысокой

NVRWM:

EPROM
Различные источники по-разному расшифровывают аббревиатуру EPROM — как Erasable Programmable ROM или как Electrically Programmable ROM (стираемые программируемые ПЗУ или электрически программируемые ПЗУ). В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соответственно появилась возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание ячеек EPROM выполняется сразу для всей микросхемы посредством облучения чипа ультрафиолетовыми или рентгеновскими лучами в течение нескольких минут. Микросхемы, стирание которых производится путем засвечивания ультрафиолетом, были разработаны Intel в 1971 году, и носят название UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) — ультрафиолет). Они содержат окошки из кварцевого стекла, которые по окончании процесса стирания заклеивают.
Достоинство: Возможность перезаписывать содержимое микросхемы
Недостатки:
1. Небольшое количество циклов перезаписи.
2. Невозможность модификации части хранимых данных.
3. Высокая вероятность «недотереть» (что в конечном итоге приведет к сбоям) или передержать микросхему под УФ-светом (т.н. overerase — эффект избыточного удаления, «пережигание»), что может уменьшить срок службы микросхемы и даже привести к её полной негодности. EEPROM(EEPROM или Electronically EPROM) — электрически стираемые ППЗУ были разработаны в 1979 году в той же Intel. В 1983 году вышел первый 16Кбит образец, изготовленный на основе FLOTOX-транзисторов (Floating Gate Tunnel-OXide — «плавающий» затвор с туннелированием в окисле).

Главной отличительной особенностью EEPROM (в т.ч. Flash) от ранее рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность производить стирание отдельной ячейки при помощи электрического тока. Для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется автоматически при записи в нее новой информации, т.е. можно изменить данные в люб

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

8

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image007.gif" v:shapes="_x0000_s1287 _x0000_s1288 _x0000_s1289 _x0000_s1290 _x0000_s1291 _x0000_s1292 _x0000_s1293 _x0000_s1294 _x0000_s1295 _x0000_s1296 _x0000_s1297 _x0000_s1298 _x0000_s1299 _x0000_s1300 _x0000_s1301 _x0000_s1302 _x0000_s1303 _x0000_s1304 _x0000_s1305 _x0000_s1306">ой ячейке, не затрагивая остальные. Процедура стирания обычно существенно длительнее процедуры записи.
Преимущества EEPROM по сравнению с EPROM:
1. Увеличенный ресурс работы.
2. Проще в обращении.
Недостаток: Высокая стоимость Flash (полное историческое название Flash Erase EEPROM):

Изобретение флэш-памяти зачастую незаслуженно приписывают Intel, называя при этом 1988 год. На самом деле память впервые была разработана компанией Toshiba в 1984 году, и уже на следующий год было начато производство 256Кбит микросхем flash-памяти в промышленных масштабах. В 1988 году Intel разработала собственный вариант флэш-памяти.
Во флэш-памяти используется несколько отличный от EEPROM тип ячейки-транзистора. Технологически флэш-память родственна как EPROM, так и EEPROM. Основное отличие флэш-памяти от EEPROM заключается в том, что стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ. Следует заметить, что существуют микросхемы, позволяющие работать с блоками разных размеров (для оптимизации быстродействия). Стирать можно как блок, так и содержимое всей микросхемы сразу. Таким образом, в общем случае, для того, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается весь блок, где содержится подлежащий изменению байт, стирается содержимое блока, изменяется значение байта в буфере, после чего производится запись измененного в буфере блока. Такая схема существенно снижает скорость записи небольших объёмов данных в произвольные области памяти, однако значительно увеличивает быстродействие при последовательной записи данных большими порциями.
Преимущества флэш-памяти по сравнению с EEPROM:
1. Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт того, что стирание информации во флэш производится блоками.
2. Себестоимость производства флэш-памяти ниже за счёт более простой организации.
Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти.

<span Arial",«sans-serif»;color:#143569">

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

 PAGE  * LOWER 9

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image008.gif" " v:shapes="_x0000_s1717 _x0000_s1718 _x0000_s1719 _x0000_s1720 _x0000_s1721 _x0000_s1722 _x0000_s1723 _x0000_s1724 _x0000_s1725 _x0000_s1726 _x0000_s1727 _x0000_s1728 _x0000_s1729 _x0000_s1730 _x0000_s1731 _x0000_s1732 _x0000_s1733 _x0000_s1734 _x0000_s1735 _x0000_s1736">
3.<span Verdana",«sans-serif»">Организация fl

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

 PAGE  * LOWER 10

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image009.gif" v:shapes="_x0000_s1737 _x0000_s1738 _x0000_s1739 _x0000_s1740 _x0000_s1741 _x0000_s1742 _x0000_s1743 _x0000_s1744 _x0000_s1745 _x0000_s1746 _x0000_s1747 _x0000_s1748 _x0000_s1749 _x0000_s1750 _x0000_s1751 _x0000_s1752 _x0000_s1753 _x0000_s1754 _x0000_s1755 _x0000_s1756"><span Verdana",«sans-serif»">ash-памяти<span Verdana",«sans-serif»">

<img src="/cache/referats/17398/image010.jpg" align=«right» v:shapes="_x0000_s1715"><span Times New Roman",«serif»; color:windowtext">Ячейки флэш-памяти бывают как на одном, так и на двухтранзисторах.

<span Times New Roman",«serif»; color:windowtext">В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информациии состоит из одного полевого транзистора со специальной электрическиизолированной областью («плавающим» затвором — floating gate),способной хранить заряд многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодируетодин бит информации.

<span Times New Roman",«serif»; color:windowtext">При <a href=«www.ak-cent.ru/?parent_id=»9962#programming#programming">записи

заряд помещается наплавающий затвор одним из двух способов (зависит от типа ячейки): методоминжекции «горячих» электронов или методом <a href=«www.ak-cent.ru/?parent_id=»9962#tunelling#tunelling">туннелирования электронов.<a href=«www.ak-cent.ru/?parent_id=»9962#erase#erase">Стирание содержимогоячейки (снятие заряда с «плавающего» затвора) производится методомтунеллирования.

<span Times New Roman",«serif»; color:windowtext">Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается каклогический «0», а его отсутствие — как логическая «1».Современная флэш-память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронномутехпроцессу.

<span Times New Roman",«serif»;color:windowtext">Общийпринцип работы ячейки флэш-памяти.

<span Times New Roman",«serif»; color:windowtext">Рассмотрим простейшую ячейку флэш-памяти на одном n-p-nтранзисторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во flash-памяти с <a href=«www.ak-cent.ru/?parent_id=»9962#nor#nor">NOR

архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзисторазависит от количества электронов на «плавающем» затворе.«Плавающий» затвор играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е.хранит запрограммированное значение. Помещение заряда на «плавающий»затвор в такой ячейке производится методом инжекции «горячих»электронов (CHE — channel hot electrons), а снятие заряда осуществляетсяметодом квантомеханического <a href=«www.ak-cent.ru/?parent_id=»9962#tunelling#tunelling">туннелированияФаулера-Нордхейма (Fowler-Nordheim [FN]).

<img src="/cache/referats/17398/image011.jpg" v:shapes="_x0000_i1025">

При чтении, в отсутствие заряда на «плавающем» затворе, под воздействием положительного поля на управляющем затворе, образуется n-канал в подложке между истоком и стоком, и возникает ток.

<img src="/cache/referats/17398/image012.jpg" v:shapes="_x0000_i1026">

Наличие заряда на «плавающем» затворе меняет вольт-амперные характеристики транзистора таким образом, что при обычном для чтения напряжении канал не появляется, и тока между истоком и стоком не возникает.

<img src="/cache/referats/17398/image013.jpg" v:shapes="_x0000_i1027">

При программировании на сток и управляющий затвор подаётся высокое напряжение (причём на управляющий затвор напряжение подаётся приблизительно в два раза выше). «Горячие» электроны из канала инжектируются на плавающий затвор и изменяют вольт-амперные характеристики транзистора. Такие электроны называют «горячими» за то, что обладают высокой энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера, создаваемого тонкой плёнкой диэлектрика.

<img src="/cache/referats/17398/image014.jpg" v:shapes="_x0000_i1028">

При стирании высокое напряжение подаётся на исток. На управляющий затвор (опционально) подаётся высокое отрицательное напряжение. Электроны туннелируют на исток.

Эффект туннелирования — один изэффектов, использующих волновые свойства электрона. Сам эффект заключается впреодолении электроном потенциального барьера малой «толщины». Длянаглядности представим себе структуру, состоящую из двух проводящих областей,разделенных тонким слоем диэлектрика (обеднённая область). Преодолеть этот слойобычным способом электрон не может — не хватает энергии. Но при созданииопределённых условий (соответствующее напряжение и т.п.) электрон проскакиваетслой диэлектрика (туннелирует сквозь него), создавая ток.

Важно отметить, что при туннелировании электрон оказывается«по другую сторону», не проходя через диэлектрик. Такая вот«телепортация».

Различия методов тунеллирования Фаулера-Нордхейма (FN) иметода инжекции «горячих» электронов:

Channel FN tunneling — не требует большого напряжения.Ячейки, использующие FN, могут быть меньше ячеек, использующих CHE.

CHE injection (CHEI) — требует более высокого напряжения, посравнению с FN. Таким образом, для работы памяти требуется поддержка двойногопитания.

Программирование методом CHE осуществляется быстрее, чемметодом FN.

Следует заметить, что, кроме FN и CHE, существуют другиеметоды программирования и стирания ячейки, которые успешно используются напрактике, однако два описанных нами применяются чаще всего.

Процедуры стирания и записи сильно изнашивают ячейкуфлэш-памяти, поэтому в новейших микросхемах некоторых производителейприменяются специальные алгоритмы, опт

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

12

ІСУЕП 04254.009

<img src="/cache/referats/17398/image015.gif" v:shapes="_x0000_s2117 _x0000_s2118 _x0000_s2119 _x0000_s2120 _x0000_s2121 _x0000_s2122 _x0000_s2123 _x0000_s2124 _x0000_s2125 _x0000_s2126 _x0000_s2127 _x0000_s2128 _x0000_s2129 _x0000_s2130 _x0000_s2131 _x0000_s2132 _x0000_s2133 _x0000_s2134 _x0000_s2135 _x0000_s2136">имизирующиепроцесс стирания-записи, а также алгоритмы, обеспечивающие равномерноеиспользование всех ячеек в процессе функционирования.

Некоторые виды ячеек флэш-памяти на основе МОП-транзисторов с«плавающим» затвором:

Stacked Gate Cell — ячейка с многослойным затвором. Методстирания — Source-Poly FN Tunneling, метод записи — Drain-Side CHE Injection.

SST Cell, или SuperFlash <st1:City w:st=«on»><st1:place w:st=«on»>Split</st1:place></st1:City>-Gate Cell (Silicon Storage Technology — компания-разработчик технологии) — ячейка с расщеплённым затвором. Метод стирания- Interpoly FN Tunneling, метод записи — Source-Side CHE Injection.

Two Transistor Thin Oxide Cell — двухтранзисторная ячейка стонким слоем окисла. Метод стирания — Drain-Poly FN Tunneling, метод записи — Drain FN Tunneling.

Другие виды ячеек:

Кроме наиболее часто встречающихся ячеек с«плавающим» затвором, существуют также ячейки на основеSONOS-транзисторов, которые не содержат плавающего затвора. SONOS-транзисторнапоминает обычный МНОП (MNOS) транзистор. В SONOS-ячейках функцию «плавающего»затвора и окружающего его изолятора выполняет композитный диэлектрик ONO.Расшифровывается SONOS (Semiconductor Oxide Nitride Oxid

еще рефераты
Еще работы по компьютерам и переферийным устройствам